NoMIS Power与美国空军合作，开发用于飞机电力系统的SiC器件
NoMIS Power荣获美国空军研究实验室(AFRL)提供的资金，这是NoMIS Power最新的重大里程碑，这笔资金将用于开发坚固耐用的碳化硅(SiC)功率器件，从而为飞机电力系统提供支持。
NoMIS Power将通过该资金开发1200 V SiC功率半导体器件(PSD)。重点将放在金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)上，该晶体管使用寿命更长，且工作温度下的通态效率和断态效率更高，从而降低了电力电子工程师需控制的损耗。
飞机配电系统中的固态电源控制器需要低通态损耗以实现被动冷却，还需要系统启动和故障中断期间的浪涌电流和电压过冲保护。NoMIS Power提出的1200 V SiC MOSFET将为飞机制造商和系统建造商/集成商提供必要的PSD芯片，该芯片效率高，耐短路时间(SCWT)长，在正常和瞬态条件下具有操作强度。此外，1200 V额定电压不仅支持采用270 VDC架构的当前一代飞机，还支持采用+/- 270 VDC（即540 VDC轨对轨）架构运行的飞机。
NoMIS Power通过采用颠覆性制造技术实现的新型SiC器件设计，克服了商用现货(COTS) Si和SiC基PSD的局限性。因此，在恶劣的工作条件下，NoMIS的SiC器件可承受的电压峰值和电流浪涌更高，其可靠性和耐用性都很出色，从而可延长功率管理产品的使用寿命。
NoMIS Power首席执行官Adam Morgan博士宣布获得这笔新资金时表示：“我们的团队非常高兴有机会为致力于提高我国武装力量的战略团体提供支持。我们相信，这种全新SiC器件技术也将对其他关键技术市场产生重大影响，例如电动汽车市场和电网基础设施市场。这些努力将直接促进我们公司近期推出产品，即新一代SiC器件。”
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