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UnitedSiC 联合碳化硅利用美国 UnitedSiC 创新的设备技术加速SiC的采用，使客户能够为社会最先进的应用提供业界领先的电源效率，尤其是在移动性，IT基础设施和可再生能源方面。 幸运的是，过去几十年对宽带隙研究的投资现已形成成熟的 SiC 功率器件供应链，从根本上改变了主流功率转换器的效率和功率密度。 我们的技术可以直接替换 PFC、LLC 或 PSFB 拓扑的硅超结，并直接兼容任何 SiC MOSFET 竞争对手的栅极驱动要求。 此外，我们拥有 SiC 器件中性能最高的体二极管、最低的温度 Qrr、近 5V 的 EMI 抗扰度阈值电压以及出色的短路额定值。所有这一切都伴随着业界最广泛的 SiC 分立晶体管产品组合。 鉴于这种类型的设计师接受度，很明显碳化硅器件正在成为这些快速增长市场的关键推动因素之一。为什么选择 UnitedSiC？强大的专利组合展示的产品性能广泛的产品范围深厚的 SiC 专业知识
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SemiQ是一家总部位于美国的碳化硅 (SiC) 功率半导体器件和材料开发商和制造商，包括：SiC 功率 MPS 二极管（650V、1200V、1700V）碳化硅模块碳化硅功率MOSFETSiC 定制模块碳化硅裸片 SiC 定制 N 型外延晶圆SemiQ 是一家私营企业，部分员工持股。 最近，SemiQ 发布了第三代 SiC 肖特基二极管（合并 PiN 肖特基型），其中包括浪涌电流、防潮性以及整体鲁棒性和坚固性方面的改进。加速高温可靠性测试已超过800万器件小时。 为了降低客户的风险，SemiQ 正在构建一个具有多个来源的完全冗余供应链，用于：碳化硅衬底组装和测试工厂SiC外延晶圆仓库碳化硅晶圆制造
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RZC 瑞之辰科技深圳市瑞之辰科技有限公司 是一家芯片设计、方案研发的高科技公司，成立于2007年，主要产品有SiC功率器件、传感器芯片、电源管理芯片等。公司拥有自己的知识产权，拥有数十项发明专利和实用新型专利。 近年来公司研发了SiC、IGBT等功率器件，封装形式有TO247-3、TO247-4PHC、IPM24A-D、WPM11C等外形，产品主要应用在储能、白电、充电桩、逆变器、光伏、汽车、高铁、电网等领域。
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Yangjie 扬杰电子扬州扬杰电子科技股份有限公司 是国内少数集半导体分立器件芯片设计制造、器件封装测试、终端销售与服务等产业链垂直一体化（IDM）的杰出厂商。 产品线含盖分立器件芯片、MOSFET、IGBT&功率模块、SiC、整流器件、保护器件、小信号等，为客户提供一揽子产品解决方案。 肖特基二极管，汽车SiC MOSFET，IGBT汽车电子整流器件整流桥，普通整流二极管，快恢复二极管，超高效整流二极管，超快恢复二极管，肖特基二极管，光伏二极管，汽车电子整流器件：整流二极管，快恢复二极管 ，肖特基二极管保护器件瞬态抑制二极管，晶闸浪涌保护器，静电保护二极管，稳压管可控硅：单向可控硅，双向可控硅汽车电子保护器件：瞬态抑制二极管，静电保护二极管，功率稳压管小信号小信号开关二极管，小信号肖特基二极管 MOSFET，单管SiC二极管模块，SiC MOSFET模块，汽车SiC肖特基二极管，汽车SiC MOSFETIGBTIGBT模块，IGBT单管，IGBT汽车电子模块整流模块快，恢复模块，肖特基模块，
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NOYUSEM 蓉矽半导体成立于2019年，是致力于第三代宽禁带半导体碳化硅（SiC）功率器件设计与开发的高新技术企业。 蓉矽拥有一支掌握碳化硅核心技术的国际化团队，整合台湾与欧洲先进碳化硅制造工艺平台，结合大陆封测和应用解决方案，建立了材料、外延、晶圆制造与封装测试均符合IATF 16949质量管理标准的完整供应链，独立自主开发世界一流水平的车规级碳化硅器件 发展历程2024年第二代车规级SiC MOSFET正式发布；蓉矽半导体第二代NovuSic® 1200V 20mΩ SiC MOSFET正式发布通过AEC-Q101车规级可靠性认证；蓉矽半导体碳化硅 /75mΩ 正式量产SiC MOSFET(G1)开发成功1200V/75mΩ SiC MOSFET 第一次工程流片即达91.2%良率天使轮融资完成；进行MCR产品优化及SiC产品量产硅基MCR科技成果转化 蓉矽拥有极富经验的国际化团队，包括十年碳化产品开发经验的欧洲与日本国际化团队，涵盖制程、器件设计与可靠性验证；得到了电子科技大学功率集成技术实验室团队的大力支持，还有瑞士器件设计与工艺专家与前日本汽车电子功率器件设计与可靠性专家鼎立坐阵
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YASC 长飞先进安徽长飞先进半导体股份有限公司 是一家专注于碳化硅（SiC）功率半导体产品研发及制造的企业，具备从外延生长、器件与模块设计、晶圆制造到模块封测的全产业链能力。 根据研究报告，在光伏发电中使用SiC器件，系统的效率可提升至99%，能耗可降低40%以上，循环寿命可提升50倍。 因此，SiC器件在光伏储能系统、轨道交通、智能电网等工业领域具有非常广阔的市场空间与发展前景。 SiC器件具有高禁带宽度、高饱和速率、高热导率的特点，可实现高速开关，整体损耗比Si基器件减小50%以上，有助于增加电动车的续航里程，满足800V高电压需求，实现系统的轻量化，解决电动车的三大需求痛点。 功率器件在车载上的应用主要包括主驱逆变器、车载充电器、DC/DC转换器等，有较广的使用场景， 故SiC器件有望在新能源汽车的高速发展下大规模普及应用。
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中车半导体株洲中车时代半导体有限公司 是中车集团旗下专业从事功率半导体研发、设计、生产、销售的企业，也是国内头部的功率半导体IDM企业，同时掌握IGBT、SiC器件、大功率晶闸管、IGCT及其组件技术，其产品可大量应用在新能源发电
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SICHAIN 清纯半导体清纯半导体 成立于2021年3月，为国内的碳化硅功率器件设计和供应商，去年底宣布完成高瓴创投领投的数亿元首轮融资。公司拥有的研发团队，始终瞄准国际技术前沿，以提供国际一流的碳化硅功率芯片为己任。 公司成立一年来，技术与产品发展迅速，目前已突破国产SiC功率器件设计及大规模制造瓶颈，在极短时间内先后开发出自主知识产权的SiC二极管及 Mosfet器件产品，产品先后通过车规级可靠性测试，是目前国内唯一能够在 SiC器件核心性能和可靠性方面达到国际一流水平、并且基于国内产线量产SiC Mosfet的企业。
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IVCT （InventChip Technology） 瞻芯电子上海瞻芯电子科技有限公司 是一家聚焦于碳化硅(SiC)半导体领域的高科技芯片公司，2017年成立于上海临港，致力于开发碳化硅(SiC)功率器件、驱动和控制芯片、碳化硅(SiC)功率模块产品，并围绕碳化硅 (SiC)功率半导体应用，为客户提供一站式(Turn-key)芯片解决方案。 瞻芯电子是中国第一家自主开发并掌握6英寸SiC MOSFET产品以及工艺平台的公司，建成了一座按车规级标准设计的SiC晶圆厂，并将持续创新，放眼世界，致力于打造中国领先、国际一流的碳化硅(SiC)功率半导体和芯片解决方案提供商
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Bestirpower 萃锦半导体首先，SiC器件具有高导热性，这意味着它们能够更有效地传导和散发热量，在电动汽车中，电力电子器件会产生大量热量，而SiC的高导热性有助于保持器件在高温环境下的性能稳定，从而提高电动汽车的可靠性。 此外，SiC器件的开关速度快，开关损耗低。这使得电动汽车中的电力转换过程更加高效，进一步减少能量浪费，提高电动汽车的行驶里程。在电动汽车的具体应用方面，SiC器件广泛应用于逆变器、充电器等关键组件。 采用SiC逆变器可以显著提高功率密度和效率，减少体积和重量，从而减轻电动汽车的整体负担。充电器方面，SiC器件的应用可以提高充电速度和效率，缩短充电时间，提升用户体验。 总之，碳化硅（SiC）在电动汽车行业中具有巨大的应用潜力。通过提高器件的导热性、击穿电压和导通电阻，以及其对环保的潜在作用，SiC为电动汽车行业的发展提供了有力支持。 我司 SiC Diode 反向恢复特性优，正向导通压降值低，损耗小。我司器件在结温175℃时，阈值电压、导通电阻、开关损耗等参数稳定性好，器件效率优，契合逆变焊机高温与高效的应用特性。
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