国家第三代半导体技术创新中心（南京）一期项目竣工投产
据南京江宁经济技术开发区官微消息，9月6日，第三代半导体产业创新发展大会在江宁开发区举行。会上，10个总投资额超百亿元产业项目在大会上签约，国家第三代半导体技术创新中心（南京）一期项目宣布竣工投产。
据悉，国家第三代半导体技术创新中心（南京）由南京市人民政府、中国电子科技集团有限公司、南京江宁经济技术开发区管理委员会、中国电子科技集团公司第五十五研究所合作共建，将攻坚“新能源汽车用高电流密度高可靠碳化硅MOSFET产品”和“面向智能电网和高铁应用的高压大功率碳化硅电力电子器件”两大产品方向，重点突破材料、器件、工艺和装备技术瓶颈，保障国家重点产业战略安全。
相关负责人介绍称，国家第三代半导体技术创新中心（南京）一期项目依托55所原有11#厂房区域，“以存量带增量”的方式，打造6英寸SiC电力电子器件研发与中试平台，科研人员突破了6英寸碳化硅MOSFET批量生产技术，形成了成套具有自主知识产权的碳化硅器件技术体系。
据南京中心主任陈辰透露：“截至目前，SiC MOSFET芯片已经在国内头部车企的车载电源系统中使用1300万只，保障了近200万辆汽车需求，出货量全国领先。此外，功率模块拟应用于红旗汽车的首款电驱，预计2024年正式装车。”
随着一期项目竣工投产，二期项目也计划于2024年开建，规划年产20万片8英寸圆片，工厂将设计8英寸第三代半导体芯片制造、先进晶圆封装、模块封装平台。
据了解，目前，南京中心的科技团队已突破高可靠芯片设计、电流密度增强等SiC MOSFET（碳化硅 金属—氧化物—半导体场效应管）芯片关键技术，形成650V-1200V大电流 SiC MOSFET器件系列产品，关键指标达到国际先进水平。还突破了低寄生参数设计、高效散热、高可靠封装等关键功率模块关键技术，研制出750V/600A HPD、1200V/600A 2in1等电驱用SiC功率模块，性能与国际先进模块相当。
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