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碳化硅MOSFET

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严选碳化硅MOSFET厂家,提供从碳化硅MOSFET设计、研发、生产制造深耕产品,打造值得信赖的传感器品牌,解决选品、技术支持问题,实现采购放心、售后无忧。
  • 深圳倾佳

    深圳市倾佳电子有限公司-专业功率半导体(IGBT单管,IGBT模块,碳化硅SiC-MOSFET,氮化镓GaN)以及新能源汽车连接器分销商,致力于服务中国工业电源及新能源汽车制造商。 在电动汽车中,碳化硅功率器件的应用主要为两个方向,一个用于电机驱动逆变器(电机控制器),另一个用于车载电源系统,主要包括:电源转换系统(车载DC/DC)、车载充电系统(OBC)、车载空调系统(PTC和空压机 近年来,倾佳电子-着力推广国产碳化硅SiC功率器件,国产SiC-MOSFET,国产SiC-MOSFET功率模块,国产氮化镓GaN HEMT以及配套的隔离驱动IC,自举驱动IC,不断在高压汽车电驱系统、高压快充桩 除了车载应用,SiC碳化硅的替代IGBT方案开始在工业的UPS系统(不间断电源)、轨道交通等领域推出。
  • LEAPSIC 嘉展力芯半导体

    ,公司通过多年的积累,已拥有深厚的、具有自主知识产权设计和工艺研发的能力,突破了国外大厂在碳化硅技术上的垄断,成为大中华区碳化硅功率半导体行业的优秀企业。 碳化硅金属氧化物场效应晶体管(SiC MOSFET)在SiC MOSFET的开发与应用方面,与相同功率等级的IGBT相比,SiC MOSFET导通电阻、开关损耗大幅降低,利用其工作特性,可以用于更高的工作频率 全碳化硅功率模块汽车级全碳化硅功率模块是为新能源汽车主逆变器应用需求推出的系列功率模块产品,包括半桥MOSFET模块、三相全桥MOSFET模块、塑封单面散热半桥MOSFET模块等,采用银烧结技术等最新的全碳化硅 碳化硅功率器件测试实验室产品应用新能源车目前我国已逐步跨入新能源汽车时代,为了满足大输出功率的需求,功率半导体器件材料从硅基IGBT转向碳化硅MOSFET,电压平台从400V升级到800V,搭载的功率半导体器件的需求也大幅提升 碳化硅二极管、碳化硅三极管
  • BASiC 基本半导体

    深圳基本半导体有限公司 是中国第三代半导体创新企业,专业从事碳化硅功率器件的研发与产业化。公司总部位于深圳,在北京、上海、无锡、香港以及日本名古屋设有研发中心和制造基地。 基本半导体掌握碳化硅核心技术,研发覆盖碳化硅功率半导体的材料制备、芯片设计、晶圆制造、封装测试、驱动应用等产业链关键环节,拥有知识产权两百余项,核心产品包括碳化硅二极管和MOSFET芯片、汽车级碳化硅功率模块 深圳市的数十项研发及产业化项目,与深圳清华大学研究院共建第三代半导体材料与器件研发中心,是国家5G中高频器件创新中心股东单位之一,获批中国科协产学研融合技术创新服务体系第三代半导体协同创新中心、广东省第三代半导体碳化硅功率器件工程技术研究中心 核心产品碳化硅肖特基二极管碳化硅MOSFET裸片和晶圆服务门极驱动芯片混合碳化硅分立器件汽车级全碳化硅功率模块工业级全碳化硅功率模块产品应用车用电子 , 工业电子
  • IVCT (InventChip Technology) 瞻芯电子

    上海瞻芯电子科技有限公司 是一家聚焦于碳化硅(SiC)半导体领域的高科技芯片公司,2017年成立于上海临港,致力于开发碳化硅(SiC)功率器件、驱动和控制芯片、碳化硅(SiC)功率模块产品,并围绕碳化硅 瞻芯电子是中国第一家自主开发并掌握6英寸SiC MOSFET产品以及工艺平台的公司,建成了一座按车规级标准设计的SiC晶圆厂,并将持续创新,放眼世界,致力于打造中国领先、国际一流的碳化硅(SiC)功率半导体和芯片解决方案提供商
  • NOYUSEM 蓉矽半导体

    成立于2019年,是致力于第三代宽禁带半导体碳化硅(SiC)功率器件设计与开发的高新技术企业。 蓉矽拥有一支掌握碳化硅核心技术的国际化团队,整合台湾与欧洲先进碳化硅制造工艺平台,结合大陆封测和应用解决方案,建立了材料、外延、晶圆制造与封装测试均符合IATF 16949质量管理标准的完整供应链,独立自主开发世界一流水平的车规级碳化硅器件 产品涵盖碳化硅EJBS™ (Enhanced Junction Barrier Schottky)二极管与碳化硅MOSFET;硅基产品有175˚C高结温的理想二极管MCR®(MOS-Controlled 发展历程2024年第二代车规级SiC MOSFET正式发布;蓉矽半导体第二代NovuSic® 1200V 20mΩ SiC MOSFET正式发布通过AEC-Q101车规级可靠性认证;蓉矽半导体碳化硅 MOSFET通过AEC-Q101车规级考核和HV-H3TRB加严可靠性验证2023年《2023 碳化硅(Sic)产业调研白皮书》正式发布;蓉矽半导体参编《2023 碳化硅(SiC)产业调研白皮书》,助力产业加速发展创新四川省专精特新中小企业认定
  • Global Power 泰科天润

    泰科天润半导体科技(北京)有限公司 (Global Power Technology)是中国碳化硅(SiC)功率器件产业化的倡导者之一。 作为国内碳化硅研发生产和平台服务型公司,泰科天润的产品线涉及基础核心技术产品、碳化硅成型产品以及多套行业解决方案。 目前泰科天润的碳化硅器件650V/2A-100A,1200V/2A-50A,1700V/5A -50A,3300V/0.6A-50A等系列的产品已经投入批量生产,产品质量完全可以比肩国际同行业的先进水平 我们是谁中国碳化硅功率器件产业化的倡导者之一我们做什么碳化硅功率器件,包含各种封装形式的碳化硅肖特基二极管、碳化硅MOSFET和碳化硅模块我们如何做拥有完整的碳化硅加工产线和经验丰富的技术团队
  • DACO 罡境电子

    台湾罡境电子股份有限公司,成立于1994年,是台湾半导体行业中先驱且创新的芯片和模块装配制造商,专注于设计、制造优质的半导体产品,涵盖IGBT、SiC(碳化硅)二极管、SiC(碳化硅)金属氧化物半导体场效晶体管 推出正弦波逆变器模块2008 自动电源回收控制单元 (APRCU)2010 推出首款 800A 肖特基二极管模块与 Infineon Technologies 合作成为首选设计公司 (PDH)2012 碳化硅 (SiC) 产品开发2013 可控硅整流器 (SCR) 产品开发2014 推出碳化硅 (SiC) 二极管模块2015 推出功率 MOSFET 模块2016 推出碳化硅 (SiC) 功率 MOSFET2017 推出 IGBT 模块2018 新加坡销售代表处设立2020 推出碳化硅 (SiC) 桥式整流器2023 碳化硅 (SiC) MOSFET 分立器件主要产品IGBT;Silicon Carbide;MOSFET Modules;Discrete MOSFET;Diode Modules;Discrete Diodes应用领域航天与国防工业;电动汽车;云端运算;工业;再生能源;交通运输
  • GTA 积塔半导体

    积塔在中国(上海)自由贸易试验区临港新片区和徐汇区建有两个厂区,已建和在建产能共计30万片/月(折合8吋计算),其中6吋7万片/月、8吋11万片/月、12吋5万片/月、碳化硅3万片/月,为汽车电子、工业控制和高端消费电子领域提供微控制器 已建成具有自主知识产权的电源管理芯片(PMIC)、控制器(Controller)、功率器件(IGBT、SGT、FRD、TVS等)、碳化硅器件(JBS、MOSFET)、微机电系统(MEMS)等特色工艺平台 积塔是国内较早具备碳化硅(SiC)功率器件制造能力的企业,工艺技术平台覆盖JBS和MOSFET等,已建成自主知识产权的车规级650V/750V/1200V碳化硅JBS工艺平台、650V/750V/1200V 碳化硅MOSFET工艺平台。
  • SICHAIN 清纯半导体

    清纯半导体 成立于2021年3月,为国内的碳化硅功率器件设计和供应商,去年底宣布完成高瓴创投领投的数亿元首轮融资。公司拥有的研发团队,始终瞄准国际技术前沿,以提供国际一流的碳化硅功率芯片为己任。 公司成立一年来,技术与产品发展迅速,目前已突破国产SiC功率器件设计及大规模制造瓶颈,在极短时间内先后开发出自主知识产权的SiC二极管及 Mosfet器件产品,产品先后通过车规级可靠性测试,是目前国内唯一能够在 SiC器件核心性能和可靠性方面达到国际一流水平、并且基于国内产线量产SiC Mosfet的企业。
  • LXPSEMI 澜芯半导体

    上海澜芯半导体有限公司 成立于2022年6月,公司总部坐落于上海嘉定,在张江设有研发中心,是一家全栈功率芯片设计公司,产品包含碳化硅MOSFET,硅基IGBT, MOSFET等相关芯片、单管和功率模块产品 依托多年在功率半导体丰富的开发经验和深厚的车规级功率半导体行业应用背景,历经半年多的时间在2023年8月首款碳化硅芯片1200V 80mΩ SiC MOSFET就功通过了1000小时175℃ 100%Vds 产品覆盖1200V SiC MOSFET 6mΩ、12mΩ、14mΩ、30mΩ、40mΩ、60mΩ、80mΩ等,已有众多客户与澜芯建立了深度的技术交流,对于澜芯半导体的技术实力给予了充分的肯定,现客户群体已覆盖光伏储能 主要产品SiCLXPSEMI SiC MOSFET在导通电阻,开关损耗,高温运行和导热性上的优异特性极大地提升了电力电子系统的转换效率和功率密度,并使得系统的整体成本降低。 SJ MOSFET为适应电源系统高效率小型化的需求,澜芯半导体推出了超结高压MOSFET, SJ MOSFET具有更快的开关速度,可以大大提高系统效率、降低发热量,还可以简化系统EMI设计。
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