东芝推出用于工业设备的第3代碳化硅MOSFET，采用可降低开关损耗的4引脚封装
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出采用有助于降低开关损耗的4引脚TO-247-4L(X)封装的碳化硅（SiC）MOSFET---“TWxxxZxxxC系列”，该产品采用东芝最新的[1]第3代碳化硅MOSFET芯片，用于支持工业设备应用。该系列中五款额定电压为650V，另外五款额定电压为1200V，十款产品于今日开始批量出货。
新产品是东芝碳化硅MOSFET产品线中首批采用4引脚TO-247-4L(X)封装的产品，其封装支持栅极驱动信号源极端使用开尔文连接，有助于减少封装内源极线电感的影响，从而提高高速开关性能。与东芝目前采用3引脚TO-247封装的产品TW045N120C相比，新型TW045Z120C的开通损耗降低了约40%，关断损耗降低了约34%[2]。这一改善有助于降低设备功率损耗。
使用SiC MOSFET的3相逆变器参考设计已在东芝官网发布。
东芝将继续扩大自身产品线，进一步契合市场趋势，并助力用户提高设备效率，扩大功率容量。
使用新型SiC MOSFET的3相逆变器
使用SiC MOSFET的3相逆变器
简易方框图
Ø 应用：
- 开关电源（服务器、数据中心、通信设备等）
- 电动汽车充电站
- 光伏变频器
- 不间断电源（UPS）
Ø 特性：
- 4引脚TO-247-4L(X)封装：
栅极驱动信号源极端使用开尔文连接，可降低开关损耗
- 第3代碳化硅MOSFET
- 低漏源导通电阻×栅漏电荷
- 低二极管正向电压：VDSF＝-1.35V（典型值）（VGS＝-5V）
Ø 主要规格：
（除非另有说明，Ta＝25℃）
器件型号 | 封装 | 绝对最大额定值 | 电气特征 | 库存查询与购买 | ||||||||
漏 源 电压 VDSS （V） | 栅 源 电压 VGSS （V） | 漏极 电流 （DC） ID （A）
| 漏 源 导通 电阻RDS(ON) （mΩ） | 栅极 阈值 电压 Vth （V） | 总 栅极 电荷 Qg （nC） | 栅 漏 电荷 Qgd （nC） | 输入 电容 Ciss （pF） | 二极管 正向 电压 VDSF （V） | ||||
Tc＝25℃ | VGS＝18V | VDS＝10V | VGS＝18V | VGS＝18V | 典型值 | 测量 条件 VDS （V） | VGS＝-5V | |||||
典型值 | 典型值 | 典型值 | 典型值 | |||||||||
href="https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/mosfets/detail.TW015Z120C.html" TW015Z120C | TO-247-4L(X) | 1200 | -10至25 | 100 | 15 | 3.0至5.0 | 158 | 23 | 6000 | 800 | -1.35 | 在线购买 |
TW030Z120C | 60 | 30 | 82 | 13 | 2925 | 在线购买 | ||||||
TW045Z120C | 40 | 45 | 57 | 8.9 | 1969 | 在线购买 | ||||||
TW060Z120C | 36 | 60 | 46 | 7.8 | 1530 | 在线购买 | ||||||
TW140Z120C | 20 | 140 | 24 | 4.2 | 691 | 在线购买 | ||||||
TW015Z65C | 650 | 100 | 15 | 128 | 19 | 4850 | 400 | 在线购买 | ||||
TW027Z65C | 58 | 27 | 65 | 10 | 2288 | 在线购买 | ||||||
TW048Z65C | 40 | 48 | 41 | 6.2 | 1362 | 在线购买 | ||||||
TW083Z65C | 30 | 83 | 28 | 3.9 | 873 | 在线购买 | ||||||
TW107Z65C | 20 | 107 | 21 | 2.3 | 600 | 在线购买 | ||||||
注：
[1] 截至2023年8月
[2] 截至2023年8月，东芝测量值（测量条件：VDD＝800V、VGG＝+18V／0V、ID＝20A、RG＝4.7Ω、L＝100μH、Ta＝25℃）
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