丰田合成成功制造出用于下一代功率器件的更大尺寸的氮化镓基片
丰田合成正在利用其在GaN半导体（蓝色LED和UV-C LED）方面的专业知识，开发下一代功率器件。丰田合成株式会社与大阪大学合作，成功地增加了用于氮化镓（GaN）功率器件的基片直径。
功率器件被广泛用于工业机械、汽车、家用电器等领域的功率控制。随着社会朝着碳中和的方向发展，下一代功率器件的实际应用和广泛使用很有希望，因为它可以在控制可再生能源设备和电动汽车的大量功率时减少功率损失。氮化镓功率器件是实现这一目标的手段之一，在开发这些器件时需要更高质量和更大直径的氮化镓衬底，以实现更高的生产力且降低成本。
在一个由日本环境部领导的项目（利用GaN技术实现脱碳社会和生活方式的领先创新项目，包括验证基于GaN基材开发的应用产品的社会实施所带来的二氧化碳减排）中，丰田合成公司和大阪大学采用了一种在钠和镓的液态金属中生长氮化镓晶体的方法（钠通量法），制造了一个超过6英寸的高质量氮化镓衬底（氮化镓籽晶体），这是世界上最大的水平。他们接下来将为6英寸基板的大规模生产进行质量评估，并继续提高质量和增加直径大小（超过6英寸）。
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