台积电前研发副总林本坚：美国试图限制中国进步是徒劳的
10月30日消息，据外媒报道，近日“浸没式光刻之父”、晶圆代工大厂台积电前研发副总林本坚(Burn J. Lin)在接受采访时罕见地表示，美国无法阻止中国大陆公司在先进制程芯片技术方面取得进步，并表示中国应该能够利用现有设备继续推进到下一代的5nm制程工艺。
报道称，华为新推出全新基于国产先进制程工艺的麒麟处理器震惊了美国，证明了中国厂商可以使用现有的旧机器制造更复杂的芯片。
林本坚表示，中国在芯片技术方面已经获得突破，打破了美国旨在遏制其技术进步的限制 。“美国不可能完全阻止中国改进其芯片技术。”相信中国目前已经拥有设备能够继续将制程工艺推进到5nm制程。
对于美国近期又升级了半导体出口限制，林本坚表示，尽管美国通过制裁施加技术限制，中国厂商通过开发第二代7纳米级制造工艺，展现了显着的韧性和独创性。它还实现了足够高的产量，足以让华为制定供应 7000 万部智能手机的计划。
据称，中国最新的先进制程工艺使用了荷兰ASML 的 Twinscan NXT:2000i 系列光刻工具，这是一种深紫外 (DUV) 光刻设备，可以生产采用 7nm 和 5 nm 级工艺技术的芯片。Twinscan NXT:2000i 的分辨率（≤38nm）足以满足 7nm 级单图案光刻批量生产的需要。但今年早些时候，荷兰政府限制了该工具继续向中国的出口 。
另外，当涉及到5nm级工艺技术时，需要更精细的分辨率。为了生产它，芯片制造商可以使用Twinscan NXT:2000i 来做双重、三重甚至四重图案化，这是一种更为复杂的光刻技术，涉及将一个图案分成几个图案，然后按顺序印刷这些图案，以在半导体制造中实现更高的精度和细节。多重图案化的使用是一个棘手的过程，会影响产量以及每个晶圆上可使用的芯片数量，因此通常由于经济原因其使用受到限制。
但受限于其已有的工具，中国芯片制造厂商别无选择，只能使用多重图案化来获得更精细的分辨率。显然，它已经达到了华为可以接受的良率。由此可见，美国政府对限制策略并没有多少效果。
林本坚指出：“美国真正应该做的是专注于保持其芯片设计领先地位，而不是试图限制中国的进步，这是徒劳的，并且会损害全球经济。因为中国正在采取举国战略来发展其芯片产业。”
查看全文
作者最近更新
-
PID传感器原理及应用小叶大话科技
2024-11-12 -
全球传感技术：未来已至，发展无限小叶大话科技2024-07-15
-
光电倍增管才是单光子探测的yyds小叶大话科技2024-07-11
评论0条评论