用DUV制造5纳米芯片？浸润式光刻之父林本坚：可行！
华为Mate 60 Pro 搭载海思麒麟9000S突破美国制裁而在业界造成不小轰动，业界普遍认为麒麟9000S是采用DUV光刻机多次曝光制造出来的。
根据最新报道，台积电前副总裁、被称为浸润式光刻之父的林本坚（Burn J. Lin）认为，在现有DUV 设备制造不仅能制造7纳米，甚至5 纳米芯片也是可行的，不过将非常昂贵。
据悉，华为为2024 年开发P70、P70 和P70 Art，有望成为明年第一波旗舰手机，但还不确定会搭配哪些芯片组。林本坚表示，在DUV 设备上从7 纳米芯片转向5 纳米芯片是可行的，但将付出较大的代价。用现有DUV 光刻机若要量产5 纳米SoC，至少需要四倍图案化（ patterning ），过程需要多重曝光和多重蚀刻。
这种制程缺点不仅耗时长，成本也高，并影响产量。林本坚解释，因为设备一次可以曝光250 片，两次曝光顶多125 片，蚀刻也更花流程，因此 DUV 光刻机要进入5 纳米制程，不只花时间也花钱。也因此，这可能意味着华为明年P70 系列可能没有足够的5 纳米麒麟芯片供应。目前荷兰半导体设备大厂ASML 已被禁止向中芯国际等中国实体提供突破7 纳米门槛所需的设备。
林本坚也点出另一个挑战是，即使用DUV 设备需要在多次曝光过程中进行精确对准，可能需要时间，并可能产生错位，「稍微不准就会吃亏，不管良率、制程就会吃亏」。他表示，浸润式（ immersive）DUV 技术可以实现五、六倍图案化，但重点是要付出多少代价，如时间代价、成本代价、对不准的代价。
林本坚表示，其实EUV 设备也是如此，当设备达到极限的时候，看要曝光几次、蚀刻几次，都应该被考虑进去，这也是被半导体业认为「微缩的路」，微缩就是很花钱，在达到摩尔定律、物理极限前，会先面临成本的极限。
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