ASML与三星签署备忘录，预计共同在韩国建立研究中心
光刻机大厂ASML宣布，与韩国三星电子签署备忘录，将共同投资1万亿韩元在韩国建立研究中心，并将利用下一代极紫外(EUV)光刻机研究先进半导体制程技术。
光刻机大厂ASML宣布，与韩国三星电子签署备忘录，将共同投资1万亿韩元在韩国建立研究中心，并将利用下一代极紫外(EUV)光刻机研究先进半导体制程技术。
值得一提的是，上个月初有消息表示，三星电子在五年内从ASML采购50套设备，每套单价约为2000亿韩元，总价值可达10万亿韩元。
三星电子于2022年6月推出了全球首个采用全栅极(GAA)技术的3纳米半导体芯片制程技术后，三星一直在努力确保能采购更多EUV光刻机，目标是使该公司能在2024年上半年进入第二代3纳米制程技术，2025年进入2纳米制程技术，并在2027年进入1.4纳米半导体制程技术领域。
正因如此，三星集团董事长李在镕在2022年6月访问了ASML总部，与ASML执行长Peter Bennink讨论了EUV的采购问题，并在同年11月与访问韩国的Peter Bennink进行了进一步会谈。鉴于EUV光刻机从下订到交货的时间至少需要一年，当时的会面讨论开始在现在开花结果。
另外，先前ASML也曾经表示，计划在2023年底前发表首台商用High-NA (NA=0.55) EUV光刻机，并在2025年量产出货。这使得自2025年开始，客户就能从数值孔径为0.33传统EUV多重图案化，切换到数值孔径为0.55 High-NAEUV单一图案化，降低制程成本，提高产量。目前，预估 High-NA EUV 曝光季将会有五大客户，包括英特尔、台积电、三星、美光等。
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