消息称三星第二代 3nm 工艺 SF3 试生产已经开始，努力在半年内提高良率 60%

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IT之家 1 月 21 日消息，Chosun 据业内人士介绍，三星电子代工厂已开始针对其第二代 3nm 级工艺 SF3 试生产。据报道，该公司计划在未来六个月内将良率提高到 60% 以上。

消息人士称，三星正在进行测试 SF3 节点上制造的芯片的性能和可靠性；第一个使用三星 SF3 该工艺的芯片预计将是专门为可穿戴设备设计的应用处理器，计划在今年晚些时候发布 Galaxy Watch 7 等产品。

同时，Chosun 该公司预计明年将是明年 Galaxy S25 系列智能手机搭载的智能手机 Exynos 2500 使用此节点的芯片。

三星此前表示，计划是 2024 今年下半年开始大规模量产 SF3 芯片；2023-2024 年将以 3nm 以生产为主，即 SF3 (3GAP) 及其改进版本 SF3P (3GAP )，而且公司也计划了 2025-2026 年开始推出 2nm 节点。

SF3据三星介绍节点可以在同一单元内实现不同的环绕栅（GAA）晶体管纳米板的通道宽度提供了更高的设计灵活性。它还可以通过优化设计，为芯片带来更低的功耗和更高的性能，并增加晶体管的密度。

通过IT之家 TrendForce 据了解，台积电去年第三季度占据了全球晶圆代工市场的份额 57.9% 份额。三星电子以 12.4% 股份排名第二，两家公司之间的差距超过了 40 个百分点。

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