英飞凌推出全新CoolSiC™ MOSFET 2000 V 适用电动汽车充电

大怪科学 20240328

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 3月19日，英飞凌科技有限公司推出了全新的CoolSiC，采用TO-247PLUS-4-HCC包装™ MOSFET 2000V。本产品不仅能满足设计师对更高功率密度的需求，而且不会降低系统的可靠性，即使面临严格的高压和开关频率要求。

CoolSiC™ MOSFET具有更高的直流母线电压，可以在不增加电流的情况下提高功率。碳化硅分立器件作为市场上第一个击穿电压达到2000V的碳化硅分立器件，CoolSiC™ MOSFET采用TO-247PLUS-4-HCC包装，爬电距离为14mm，电气间隙为5.4mm。由于其低开关损耗，半导体器件适用于太阳能(如组串逆变器)、储能系统和电动汽车充电。


CoolSiC™ MOSFET 2000V产品系列适用于最高1500 VDC高直流电压母线系统。与1700V SiC 与MOSFET相比，这些设备可以是1500 VDC系统的过压提供了更高的容量。CoolSiC™ MOSFET的基准栅极阈值电压为4.5V，并配备了坚固的体二极管来实现硬换向。凭借.XT连接技术，这些设备具有一流的散热性能和高防潮性能。

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