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碳化硅器件

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为你提供精选碳化硅器件,筛选出高品质高参数性能产品,助力采购、研发生产快速选择匹配对应产品,节省前期选品时间,快速投入到产品应用环节。
  • IDT (Integrated Device Technology) / Renesas FS2012-1100-NG 流量传感器

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严选碳化硅器件厂家,提供从碳化硅器件设计、研发、生产制造深耕产品,打造值得信赖的传感器品牌,解决选品、技术支持问题,实现采购放心、售后无忧。
  • Global Power 泰科天润

    泰科天润半导体科技(北京)有限公司 (Global Power Technology)是中国碳化硅(SiC)功率器件产业化的倡导者之一。 泰科天润致力于中国半导体功率器件制造产业的发展,并向全球功率器件消费者提供优质的半导体功率器件产品和专业服务。 泰科天润总部坐落于中国北京中关村东升科技园北领地内,园区环境优雅。 作为国内碳化硅研发生产和平台服务型公司,泰科天润的产品线涉及基础核心技术产品、碳化硅成型产品以及多套行业解决方案。 目前泰科天润的碳化硅器件650V/2A-100A,1200V/2A-50A,1700V/5A -50A,3300V/0.6A-50A等系列的产品已经投入批量生产,产品质量完全可以比肩国际同行业的先进水平 我们是谁中国碳化硅功率器件产业化的倡导者之一我们做什么碳化硅功率器件,包含各种封装形式的碳化硅肖特基二极管、碳化硅MOSFET和碳化硅模块我们如何做拥有完整的碳化硅加工产线和经验丰富的技术团队
  • BASiC 基本半导体

    深圳基本半导体有限公司 是中国第三代半导体创新企业,专业从事碳化硅功率器件的研发与产业化。公司总部位于深圳,在北京、上海、无锡、香港以及日本名古屋设有研发中心和制造基地。 基本半导体掌握碳化硅核心技术,研发覆盖碳化硅功率半导体的材料制备、芯片设计、晶圆制造、封装测试、驱动应用等产业链关键环节,拥有知识产权两百余项,核心产品包括碳化硅二极管和MOSFET芯片、汽车级碳化硅功率模块 基本半导体承担了国家工信部、科技部及广东省、深圳市的数十项研发及产业化项目,与深圳清华大学研究院共建第三代半导体材料与器件研发中心,是国家5G中高频器件创新中心股东单位之一,获批中国科协产学研融合技术创新服务体系第三代半导体协同创新中心 、广东省第三代半导体碳化硅功率器件工程技术研究中心,荣获中国专利优秀奖、深圳市专利奖、2020“科创中国”新锐企业、“中国芯”优秀技术创新产品奖、中国创新创业大赛专业赛一等奖等荣誉。 核心产品碳化硅肖特基二极管碳化硅MOSFET裸片和晶圆服务门极驱动芯片混合碳化硅分立器件汽车级全碳化硅功率模块工业级全碳化硅功率模块产品应用车用电子 , 工业电子
  • SemiQ

    是一家总部位于美国的碳化硅 (SiC) 功率半导体器件和材料开发商和制造商,包括:SiC 功率 MPS 二极管(650V、1200V、1700V)碳化硅模块碳化硅功率MOSFETSiC 定制模块碳化硅裸片 SemiQ(以前称为 Global Power Technologies Group)于 2012 年开始在其位于南加州的总部开发碳化硅技术,该公司还在那里种植 Epi 并设计设备。 加速高温可靠性测试已超过800万器件小时。SemiQ Gen 3 二极管经过 100% 雪崩测试。SemiQ的产品广泛应用于世界各地的电动汽车充电系统、感应加热、电源、燃料电池发电和太阳能逆变器。 为了降低客户的风险,SemiQ 正在构建一个具有多个来源的完全冗余供应链,用于:碳化硅衬底组装和测试工厂SiC外延晶圆仓库碳化硅晶圆制造
  • NOYUSEM 蓉矽半导体

    成立于2019年,是致力于第三代宽禁带半导体碳化硅(SiC)功率器件设计与开发的高新技术企业。 蓉矽拥有一支掌握碳化硅核心技术的国际化团队,整合台湾与欧洲先进碳化硅制造工艺平台,结合大陆封测和应用解决方案,建立了材料、外延、晶圆制造与封装测试均符合IATF 16949质量管理标准的完整供应链,独立自主开发世界一流水平的车规级碳化硅器件 蓉矽碳化硅产品分为高性价比的“NovuSiC®”和高可靠性的“DuraSiC®”系列。 产品涵盖碳化硅EJBS™ (Enhanced Junction Barrier Schottky)二极管与碳化硅MOSFET;硅基产品有175˚C高结温的理想二极管MCR®(MOS-Controlled MOSFET通过AEC-Q101车规级考核和HV-H3TRB加严可靠性验证2023年《2023 碳化硅(Sic)产业调研白皮书》正式发布;蓉矽半导体参编《2023 碳化硅(SiC)产业调研白皮书》,助力产业加速发展创新四川省专精特新中小企业认定
  • HestiaPower 瀚薪科技

    上海瀚薪科技有限公司 是一家致力于研发与生产第三代宽禁带半导体功率器件及功率模块的高科技企业,是国内一家能大规模量产车规级碳化硅MOS管、二极管并规模出货给全球知名客户的本土公司。 公司通过十多年的积累,已拥有深厚的、具有自主知识产权的器件设计和工艺研发的能力,已经取得和正在申请的国内外发明专利近50项,突破了国外大厂在碳化硅技术上的垄断,成为大中华区碳化硅功率半导体行业的优秀企业
  • LEAPSIC 嘉展力芯半导体

    企业愿景中国领先的碳化硅功率器件半导体供应商。致力于研发与生产中高电压第三代宽禁带半导体功率器件及功率模块,做对社会发展有价值,产业兴盛有责任的实体企业! 混合碳化硅模块碳化硅(SiC)二极管和晶体管是现代电力电子解决方案和创新电力电子解决方案的关键组件,旨在实现超高功率密度和效率。 通过将芯片与功率模块中的硅功率器件结合,可以实现这些目标。 客制规格订制嘉展力芯合作的碳化硅半导体晶圆厂拥有完整的4/6寸生产流程线,拥有碳化硅外延、高温离子注入、高温退火、高温氧化等全套工艺设备,提供完整的器件生产工艺步骤定制. 碳化硅功率器件测试实验室产品应用新能源车目前我国已逐步跨入新能源汽车时代,为了满足大输出功率的需求,功率半导体器件材料从硅基IGBT转向碳化硅MOSFET,电压平台从400V升级到800V,搭载的功率半导体器件的需求也大幅提升 碳化硅二极管、碳化硅三极管
  • IVCT (InventChip Technology) 瞻芯电子

    上海瞻芯电子科技有限公司 是一家聚焦于碳化硅(SiC)半导体领域的高科技芯片公司,2017年成立于上海临港,致力于开发碳化硅(SiC)功率器件、驱动和控制芯片、碳化硅(SiC)功率模块产品,并围绕碳化硅 瞻芯电子是中国第一家自主开发并掌握6英寸SiC MOSFET产品以及工艺平台的公司,建成了一座按车规级标准设计的SiC晶圆厂,并将持续创新,放眼世界,致力于打造中国领先、国际一流的碳化硅(SiC)功率半导体和芯片解决方案提供商
  • Wolfspeed 沃孚半导体

    的创始人是第一个成功将碳化硅商业化的人,并且 35 年多来一直专注于为高功率应用设计和提供业界性能最高的碳化硅和碳化硅基氮化镓材料和设备。 背景为山脉的风车代表 Wolfspeed 用于可再生能源的碳化硅产品我们利用碳化硅的力量让世界变得更美好。随着我们向 Wolfspeed 的发展,我们正在引领创新和制造的未来。 我们是业内唯一拥有市场上经过最现场测试的碳化硅和碳化硅基氮化镓解决方案的完全商业化、广泛产品组合的公司。 我们每天都在与客户合作,为我们所有人创造一个更可持续的未来——一个由碳化硅和我们团队的热情和毅力提供动力的未来。汽车我们的宽带隙碳化硅器件可实现更快、更高效的充电并增加电动汽车的续航里程。 工业的我们的碳化硅半导体和专业知识使电源系统设计人员能够升级几乎所有工业电源,同时减少能耗。
  • GTA 积塔半导体

    积塔在中国(上海)自由贸易试验区临港新片区和徐汇区建有两个厂区,已建和在建产能共计30万片/月(折合8吋计算),其中6吋7万片/月、8吋11万片/月、12吋5万片/月、碳化硅3万片/月,为汽车电子、工业控制和高端消费电子领域提供微控制器 、模拟电路、功率器件、传感器等核心芯片特色工艺制造平台和技术服务。 已建成具有自主知识产权的电源管理芯片(PMIC)、控制器(Controller)、功率器件(IGBT、SGT、FRD、TVS等)、碳化硅器件(JBS、MOSFET)、微机电系统(MEMS)等特色工艺平台 积塔是国内较早具备碳化硅(SiC)功率器件制造能力的企业,工艺技术平台覆盖JBS和MOSFET等,已建成自主知识产权的车规级650V/750V/1200V碳化硅JBS工艺平台、650V/750V/1200V 碳化硅MOSFET工艺平台。
  • DACO 罡境电子

    台湾罡境电子股份有限公司,成立于1994年,是台湾半导体行业中先驱且创新的芯片和模块装配制造商,专注于设计、制造优质的半导体产品,涵盖IGBT、SiC(碳化硅)二极管、SiC(碳化硅)金属氧化物半导体场效晶体管 推出正弦波逆变器模块2008 自动电源回收控制单元 (APRCU)2010 推出首款 800A 肖特基二极管模块与 Infineon Technologies 合作成为首选设计公司 (PDH)2012 碳化硅 (SiC) 产品开发2013 可控硅整流器 (SCR) 产品开发2014 推出碳化硅 (SiC) 二极管模块2015 推出功率 MOSFET 模块2016 推出碳化硅 (SiC) 功率 MOSFET2017 推出 IGBT 模块2018 新加坡销售代表处设立2020 推出碳化硅 (SiC) 桥式整流器2023 碳化硅 (SiC) MOSFET 分立器件主要产品IGBT;Silicon Carbide;MOSFET
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