三星启动其首批第九代V-NAND闪存量产

4 月 23 三星半导体今天宣布，其第九代三星半导体今天宣布 V-NAND 1Tb TLC 产品开始量产，比三星上一代产品高出约 50% 的位密度（bit density），通过通道孔蚀刻技术（channel hole etching）提高生产效率。

三星第九代以其最小的单元尺寸和最薄的叠层厚度 V-NAND 位密度比第八代高 V-NAND 提高了约 50%。单元干扰和延长单元寿命等新技术特点的应用提高了产品的质量和可靠性，而虚拟通道孔的消除显著降低了存储单元的平面面积。

此外，三星的“通道孔蚀刻”技术通过堆叠模具层创建电子通道，可以同时在双层结构中钻孔，达到三星最高的单元层，从而最大限度地提高制造生产率。随着单元层数的增加，穿透更多单元的能力变得至关重要，这对更复杂的蚀刻技术提出了要求。

第九代 V-NAND 配备下一代 NAND 闪存接口“Toggle 5.1”可以输入数据 / 提高输出速度最高可达每秒33% 3.2 千兆位（Gbps）。除了这个新接口，三星还计划通过扩大对策 PCIe 5.0 支持巩固其在高性能固态硬盘市场的地位。

与上一代产品相比，第九代是基于三星在低功耗设计方面的进步 V-NAND 功耗也降低了 10%。

三星本月开始量产第九代 V-NAND 1Tb TLC 该产品将于今年下半年开始批量生产四层单元（QLC）第九代 V-NAND。

韩媒 Hankyung 称三星第 9 代 V-NAND 闪存堆叠层数为 290 然而，IT之家早些时候在报道中提到，三星在学术会议上展示了它 280 层堆叠的 QLC 闪存。

半导体行业观察机构 TechInsights 表示三星的第 10 代 V-NAND 有望实现闪存 430 层，进一步提升堆叠优势。

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