消息称三星电子12nm级DRAM内存良率不足五成

6 月 11 日消息，韩媒 ZDNet Korea 三星今日表示 1b nm（12nm 级） DRAM 内存良率还不到50%。

这一数据远低于 80~90% 三星上个月成立了一个专门的工作组来应对行业的一般目标。

参考IT之家之前的报道，三星电子在 2023 年 5 月宣布 16Gb 版 12nm 级 DDR5 内存开始量产，然后是 2023 年 9 月宣布 12nm 级 32Gb DDR5 成功开发内存。

▲ 三星电子 12nm 级 32Gb DDR5 内存

32Gb 颗粒容量意味着三星可以不使用 TSV 工艺可以在生产过程中生产 128GB 高密度的容量 DDR5 RDIMM 内存条。

相比采用 TSV 的 3DS DIMM 内存，这种常规内存条的功耗减少 10%的制造成本也显著降低。

因此，12nm 级制程的 32Gb DDR5 内存颗粒被三星电子视为未来的主要产品。这次成立专门工作组的目的是为了快速提高良率。

三星电子还决定积极扩大 12nm 级 DRAM 未来华城的产量 15 和平泽 P2 晶圆厂将成为本产品的主要生产基地。后者目前主要生产 1z nm 内存将升级工艺。

三星电子计划将 12nm 级 DRAM 目前每月产能 4 万片晶圆扩张到第三季度 7 万片和四季度 10 明年将进一步提升到每月 20 万片晶圆。

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