ASML拟推出Hyper-NA EUV光刻机，芯片密度限制再缩小

传感周刊 20240618

  • EUV光刻机

前ASML总裁兼首席技术官，现任公司顾问Martin van den Brink在imec ITF World在演讲中说：“从长远来看，我们需要改进光刻系统，因此必须升级 Hyper-NA。同时，我们必须将所有系统的生产率提高到每小时400-500片晶圆。同时，ASML将在2030年左右提供Hyper-NA，为了实现更高的分辨率图案化和更小的晶体管特性，达到0.75NA。

Kurttimec高级图案设计项目总监 Ronse表示，这是ASML首次使用Hyper-NA 添加其技术路线图的EUV。现阶段要想突破0.55NA，需要解决光偏振和光刻胶的挑战。Ronse 还指出，目前的High-NA应该从2nm持续到1.4nm、从那时起，10埃米甚至7埃米的工艺节点，Hyper-NA 将开始占据主导地位。

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