士兰集宏8英寸SiC芯片生产线开工建设
6月18日，石兰集宏8寸碳化硅功率器件芯片制造生产线项目在海沧启动。
据报道，该项目总投资120亿元，将建设以SiC-MOSFET为主要产品的8英寸SiC功率器件芯片制造生产线，年产量72万片8英寸碳化硅功率器件芯片。项目分为两期，一期总投资70亿元，预计2025年第三季度末初步通线，2025年第四季度试生产，达到产后年产42万片。项目建成后，将大大提高士兰微碳化硅芯片的制造能力，更好地满足国内新能源汽车碳化硅芯片的需求，并能够为光伏、储能、充电桩等功率逆变产品提供高性能的碳化硅芯片。
5月，石兰微宣布，拟与厦门半导体投资集团有限公司、厦门新翼科技实业有限公司共同向子公司厦门石兰集宏半导体有限公司增资41.50亿元，并签署了《8英寸SiC功率器件芯片制造生产线项目投资合作协议》。
据了解，开工项目是继士兰集科“12英寸特色工艺芯片生产线”和士兰明镓“先进化合物半导体设备生产线”后，厦门第三大项目将加快厦门第三代半导体产业的发展，也有利于加快公司SIC功率设备的产业化，完善公司在高端功率半导体领域的战略布局。
(JSSIA整理)
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