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SemiQ是一家总部位于美国的碳化硅 (SiC) 功率半导体器件和材料开发商和制造商，包括：SiC 功率 MPS 二极管（650V、1200V、1700V）碳化硅模块碳化硅功率MOSFETSiC 定制模块碳化硅裸片 SiC 定制 N 型外延晶圆SemiQ 是一家私营企业，部分员工持股。 最近，SemiQ 发布了第三代 SiC 肖特基二极管（合并 PiN 肖特基型），其中包括浪涌电流、防潮性以及整体鲁棒性和坚固性方面的改进。加速高温可靠性测试已超过800万器件小时。 此外，SemiQ还提供功率转换应用专业知识，在3.3kW、6.6kW及以上逆变器的设计方面拥有丰富的经验。 为了降低客户的风险，SemiQ 正在构建一个具有多个来源的完全冗余供应链，用于：碳化硅衬底组装和测试工厂SiC外延晶圆仓库碳化硅晶圆制造
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RZC 瑞之辰科技深圳市瑞之辰科技有限公司 是一家芯片设计、方案研发的高科技公司，成立于2007年，主要产品有SiC功率器件、传感器芯片、电源管理芯片等。公司拥有自己的知识产权，拥有数十项发明专利和实用新型专利。 近年来公司研发了SiC、IGBT等功率器件，封装形式有TO247-3、TO247-4PHC、IPM24A-D、WPM11C等外形，产品主要应用在储能、白电、充电桩、逆变器、光伏、汽车、高铁、电网等领域。
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中车半导体株洲中车时代半导体有限公司 是中车集团旗下专业从事功率半导体研发、设计、生产、销售的企业，也是国内头部的功率半导体IDM企业，同时掌握IGBT、SiC器件、大功率晶闸管、IGCT及其组件技术，其产品可大量应用在新能源发电
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NOYUSEM 蓉矽半导体成立于2019年，是致力于第三代宽禁带半导体碳化硅（SiC）功率器件设计与开发的高新技术企业。 蓉矽拥有一支掌握碳化硅核心技术的国际化团队，整合台湾与欧洲先进碳化硅制造工艺平台，结合大陆封测和应用解决方案，建立了材料、外延、晶圆制造与封装测试均符合IATF 16949质量管理标准的完整供应链，独立自主开发世界一流水平的车规级碳化硅器件 /75mΩ 正式量产SiC MOSFET(G1)开发成功1200V/75mΩ SiC MOSFET 第一次工程流片即达91.2%良率天使轮融资完成；进行MCR产品优化及SiC产品量产硅基MCR科技成果转化 ；电子科大功率集成技术实验室专利突破性硅基理想二极管2020年Sic二极管(G1)开发成功；1200V/20A EJBS™ SiC二极管首次工程流片即达97%良率2019年蓉矽半导体成立；设立于成都市高新区外资矽能科技功率半导体孵化器质量管理体系蓉矽半导体拥有 蓉矽拥有极富经验的国际化团队，包括十年碳化产品开发经验的欧洲与日本国际化团队，涵盖制程、器件设计与可靠性验证；得到了电子科技大学功率集成技术实验室团队的大力支持，还有瑞士器件设计与工艺专家与前日本汽车电子功率器件设计与可靠性专家鼎立坐阵
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IVCT （InventChip Technology） 瞻芯电子上海瞻芯电子科技有限公司 是一家聚焦于碳化硅(SiC)半导体领域的高科技芯片公司，2017年成立于上海临港，致力于开发碳化硅(SiC)功率器件、驱动和控制芯片、碳化硅(SiC)功率模块产品，并围绕碳化硅 (SiC)功率半导体应用，为客户提供一站式(Turn-key)芯片解决方案。 瞻芯电子是中国第一家自主开发并掌握6英寸SiC MOSFET产品以及工艺平台的公司，建成了一座按车规级标准设计的SiC晶圆厂，并将持续创新，放眼世界，致力于打造中国领先、国际一流的碳化硅(SiC)功率半导体和芯片解决方案提供商
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SICHAIN 清纯半导体清纯半导体 成立于2021年3月，为国内的碳化硅功率器件设计和供应商，去年底宣布完成高瓴创投领投的数亿元首轮融资。公司拥有的研发团队，始终瞄准国际技术前沿，以提供国际一流的碳化硅功率芯片为己任。 公司成立一年来，技术与产品发展迅速，目前已突破国产SiC功率器件设计及大规模制造瓶颈，在极短时间内先后开发出自主知识产权的SiC二极管及 Mosfet器件产品，产品先后通过车规级可靠性测试，是目前国内唯一能够在 SiC器件核心性能和可靠性方面达到国际一流水平、并且基于国内产线量产SiC Mosfet的企业。
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Bestirpower 萃锦半导体SJ MOS、IGBT分立器件和模块、新型合封功率芯片和板级系统方案等。 SiC器件在功率密度、效率、温度稳定性和开关速度等方面相较于传统硅基半导体具有显著优势，这些优势对于电动汽车行业的发展至关重要。 首先，SiC器件具有高导热性，这意味着它们能够更有效地传导和散发热量，在电动汽车中，电力电子器件会产生大量热量，而SiC的高导热性有助于保持器件在高温环境下的性能稳定，从而提高电动汽车的可靠性。 其次，SiC的击穿电压和导通电阻相较于硅有显著优势。这意味着SiC器件能够处理更高的电压和电流，同时降低功率损耗，这不仅有助于提高电动汽车的能源效率，还能减少能源浪费，从而降低碳排放。 采用SiC逆变器可以显著提高功率密度和效率，减少体积和重量，从而减轻电动汽车的整体负担。充电器方面，SiC器件的应用可以提高充电速度和效率，缩短充电时间，提升用户体验。
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Global Power 泰科天润泰科天润半导体科技（北京）有限公司 (Global Power Technology)是中国碳化硅（SiC）功率器件产业化的倡导者之一。 泰科天润致力于中国半导体功率器件制造产业的发展，并向全球功率器件消费者提供优质的半导体功率器件产品和专业服务。 泰科天润总部坐落于中国北京中关村东升科技园北领地内，园区环境优雅。 泰科天润在北京拥有一座完整的半导体工艺晶圆厂，可在4/6英寸SiC晶圆上实现半导体功率器件的制造工艺。 泰科天润通过与产业同行、科研院所、国内外专家共同探索与开发，正在将SiC功率器件推广到更多更广的应用领域。 我们是谁中国碳化硅功率器件产业化的倡导者之一我们做什么碳化硅功率器件，包含各种封装形式的碳化硅肖特基二极管、碳化硅MOSFET和碳化硅模块我们如何做拥有完整的碳化硅加工产线和经验丰富的技术团队
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UnitedSiC 联合碳化硅幸运的是，过去几十年对宽带隙研究的投资现已形成成熟的 SiC 功率器件供应链，从根本上改变了主流功率转换器的效率和功率密度。 致力于技术领先我们的技术为我们的客户提供了最简单的途径来升级他们的传统电源设计或以最小的努力在他们的新设计中获得最高的功率密度。 我们的技术可以直接替换 PFC、LLC 或 PSFB 拓扑的硅超结，并直接兼容任何 SiC MOSFET 竞争对手的栅极驱动要求。 此外，我们拥有 SiC 器件中性能最高的体二极管、最低的温度 Qrr、近 5V 的 EMI 抗扰度阈值电压以及出色的短路额定值。所有这一切都伴随着业界最广泛的 SiC 分立晶体管产品组合。 鉴于这种类型的设计师接受度，很明显碳化硅器件正在成为这些快速增长市场的关键推动因素之一。为什么选择 UnitedSiC？强大的专利组合展示的产品性能广泛的产品范围深厚的 SiC 专业知识
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LEAPSIC 嘉展力芯半导体企业愿景中国领先的碳化硅功率器件半导体供应商。致力于研发与生产中高电压第三代宽禁带半导体功率器件及功率模块，做对社会发展有价值，产业兴盛有责任的实体企业！ 碳化硅金属氧化物场效应晶体管(SiC MOSFET)在SiC MOSFET的开发与应用方面，与相同功率等级的IGBT相比，SiC MOSFET导通电阻、开关损耗大幅降低，利用其工作特性，可以用于更高的工作频率 混合碳化硅模块碳化硅（SiC）二极管和晶体管是现代电力电子解决方案和创新电力电子解决方案的关键组件，旨在实现超高功率密度和效率。 通过将芯片与功率模块中的硅功率器件结合，可以实现这些目标。 碳化硅功率器件测试实验室产品应用新能源车目前我国已逐步跨入新能源汽车时代，为了满足大输出功率的需求，功率半导体器件材料从硅基IGBT转向碳化硅MOSFET，电压平台从400V升级到800V，搭载的功率半导体器件的需求也大幅提升 来源：中国粉体网高效率电源碳化硅基功率器件可以提供比硅基功率器件更高的功率转换效率水平，这主要是由于能量损失和反向充电损失显著降低。这导致在开启和关闭阶段需要更多的开关功率和更少的能量。
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2026深圳国际第三代半导体技术及封测展览会07-09 17:47
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科技封锁下逆袭：瑞之辰压力传感器领跑国产替代赛道05-29 19:42
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瑞之辰申请基于MEMS金属封装的差压传感器专利05-28 20:26
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