天岳先进拟定增3亿元投建8英寸车规级SiC衬底项目

科技八卦 20240710

据半导体产业网消息，天岳先进7月8日晚宣布，拟通过简单程序向特定对象发行股票，募集资金总额不超过3亿元（含本金）。扣除相关发行费用后，募集资金净额将用于投资“8英寸车辆规格级碳化硅衬底制备技术改进项目”。

根据公告，8英寸汽车级碳化硅衬底制备技术改进项目总投资3.86亿元，建设周期为24个月。主要研发方向包括碳化硅生长热模拟、碳化硅单晶应力控制、碳化硅单晶微缺陷控制、导电碳化硅电阻率控制等。

天岳先进表示，该项目紧密围绕公司的主营业务，以8英寸碳化硅衬底关键技术改进和工艺优化的研发目标，不断创新8英寸碳化硅衬底关键技术，并进行工程研发试验。通过自主研发创新，公司将继续完善8英寸碳化硅衬底的制备工艺，有助于确保中国产业链的安全，促进碳化硅半导体材料在新能源汽车、新能源系统等领域的定位应用。

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