封装 | 共进微封装能力之“切割工艺”
共进微封装能力
导读
切割工艺在芯片封装中扮演着不可或缺的重要角色。通过使用精确而稳定的切割工艺，能够确保芯片封装的精度和稳定性，最大程度地释放芯片的性能潜力。同时，这也有助于提高生产效率并降低成本。共进微电子封装产线引入了最先进的切割设备和技术方案，确保为客户提供高品质的封装产品，并通过不断追求技术创新和优化，为客户提供最佳的解决方案。
Blade Saw
激光开槽
激光隐切
激光全切
Blade Saw
Gongjin Microelectronics
共进微电子的Blade saw使用的是Disco DFD6362晶圆切割机，机台主要是用于8/12寸常规晶圆切割。
作业原理：
切割时由主轴带动刀片高速旋转获得高刚性，从而去除材料实现切割。由于刀片具有一定的厚度，因此需要确保划片线宽较大。金刚石划片刀具能够达到的最小切割线宽为25~35um。对于不同材质和厚度的晶圆，需要更换不同的刀具。在旋转砂轮式划片过程中，我们需要使用去离子水对刀片进行冷却，并将切割后产生的硅渣碎屑带走。
制程能力
对于硅晶圆产品的切割，正崩尺寸可小于10um，表面不会有指向有效线路的crack；背崩宽度可小于10um，背面崩碎深度可小于1/5晶圆厚度。机台清洗采用二流体清洗方式，可以保证产品清洗完成后无水气杂质残留。
激光开槽
Gongjin Microelectronics
共进微电子的激光开槽使用的是Disco DFL7161，主要用于Low-k材料的晶圆，改善易脆材料在刀切造成的切割不良，从而提高切割良率。
作业原理
对于Low-K材料，普通的金刚石刀轮难以进行切割。因此，在切割之前需要使用激光技术去除硅晶圆表面的Low-K层，然后再使用刀轮切割硅等衬底材料。激光开槽技术通过光路系统将光斑整形成特定的形状，使激光能够聚焦于材料表面，形成特定的槽型。利用超快激光的极高峰值功率，可以瞬间将Low-K层汽化，减少了热影响区并且没有中间过程。这种方法大大减少了热对材料的影响。
制程能力
最小可支持35um切割道，激光束宽度宽度10um，可保证加工后切割槽宽度和深度均匀，晶圆表面无硅粉，油污沾污，无水汽残留。
激光隐切
Gongjin Microelectronics
共进微电子的激光隐切使用的是DiscoDFL7341，主要用于具有悬膜、悬臂梁、微针、微弹簧等敏感结构类型的芯片。
作业原理
其原理是将波长约1300nm左右的红外线激光聚焦在硅片内部以产生改质层，再借由扩展胶膜等方法将晶圆分成晶粒，以达到低损伤、高精度、高品质切割。该工艺从工件内部改质，因此可以抑制加工屑的产生；切割过程无振动冲击，且采用干式加工工艺，无需清洗；切割道宽度要求低，有助于减小芯片间隔，适用于具有悬膜、悬臂梁、微针、微弹簧等敏感结构类型的芯片。
制程能力
切割道大于30um，支持硅片厚度范围0.1mm-0.7mm，正崩尺寸可小于10um。
激光全切
Gongjin Microelectronics
共进微电子具备玻璃基晶圆的激光切割能力。
作业原理
主要原理是利用激光的高峰值功率、高峰值功率密度，在玻璃内部聚焦，瞬间气化该区域材料产生一个气化带，迅速向上下两表面扩散形成裂孔，产生由无数孔点组成切割截面，再通过外部应力断裂实现切割。
制程能力
可支持10um的超窄切割道产品 ，支持玻璃厚度最大为5mm，切割后崩边尺寸可小于10um。
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