意法半导体推出两款GaN半桥驱动器，可提高能效和鲁棒性
2025年5月27日，中国——意法半导体推出两款高压GaN半桥栅极驱动器，为开发者带来更高的设计灵活性和更多的功能，提高目标应用的能效和鲁棒性。
STDRIVEG610 和 STDRIVEG611两款新产品为电源转换和电机控制设计人员提供两种控制GaN功率器件的选择，可以提高消费电子和工业应用的能效、功率密度和鲁棒性。
STDRIVEG610主打那些要求启动时间300ns级别的栅极驱动应用，启动时间是LLC或ACF电源转换拓扑的一个关键参数，保证在突发模式下准确控制功率管的关断间隔。
STDRIVEG611 是针对电机控制应用中的硬开关进行了优化设计，增加高边UVLO欠压保护和过流保护智能关断等安全功能。
这两款器件对软硬开关拓扑都适用，并内置预防交叉导通的互锁功能。STDRIVEG610可提升电源适配器、充电器和功率因数校正 (PFC) 电路的性能，而STDRIVEG611可节省空间，提高能效和可靠性，适用于家用电器、电泵、压缩机、工业伺服驱动电机以及工厂自动化驱动装置。
为了简化设计，两款器件都集成了高边自举二极管，以及大电流能力且传输延迟小于10ns的6V高低边线性稳压器。每个驱动器都有独立的吸电流和拉电流路径，吸电流为 2.4A/1.2Ω，拉电流为 1.0A/3.7Ω，可以实现很好的驱动性能。
片上集成的 UVLO 保护功能用于保护高低边的 600V GaN 功率开关管的安全，防止器件在低效或危险情况下运行。此外，两款器件都有过热保护功能，dV/dt耐量高达 ±200V/ns。输入引脚电压扩展到 3.3V 至 20V，从而简化了控制器接口电路。两款器件都有待机引脚，在非工作期间或突发模式下，可以节省能耗，并具有独立的电源地引脚，可用于开尔文源驱动或连接分流电阻。
STDRIVEG610 和STDRIVEG611集成丰富的功能，有助于降低物料清单成本，采用4mm x 5mm QFN 的紧凑封装，节省电路板空间。
两款产品的配套评估板EVLSTDRIVEG610Q和EVLSTDRIVEG611现已上市，可帮助设计人员加快应用开发。两款评估板均可直接使用，集成了 600V 高速半桥栅极驱动器和意法半导体的两颗 SGT120R65AL 增强型 GaN HEMT功率开关管。
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