上海微系统所研发耐高温MEMS压电振动传感器:免校准、低温漂

恩硕科技-李总 20250829

  • MEMS传感器
  • 工业控制

近日,中国科学院上海微系统与信息技术研究所(简称:上海微系统所)传感器技术全国重点实验室在耐高温MEMS压电振动传感器方面取得重要进展,研发的振动传感器具有大量程、宽频带、高线性度,并通过热应力隔离设计将传感器温漂减小16倍,灵敏度温度系数低至0.015%/℃,从而无需额外的补偿电路校准即可实现200℃极端环境下的稳定振动监测。相关成果以“Calibration-free Low-Drift MEMS Piezoelectric Accelerometer for High-Temperature Vibration Monitoring”为题发表于测量领域知名SCI期刊《Measurement》,论文的第一作者为博士研究生张程,通信作者为汪洋副研究员和武震宇研究员。

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研究背景

随着科学技术的进步,测控技术对现代信息社会的影响越来越大。可靠和稳定地感知振动、冲击等物理和机械参数,是智能控制系统和自动化工业的关键一环。MEMS压电振动传感器具有工作频带宽、响应速度快、量程大、批量一致性高等优势,但是,在工业、深地、航天等环境中,常常需要传感器工作于高温极端条件下并保持性能稳定。针对这一问题,上海微系统所研究团队聚焦热稳定传感材料和热应力隔离设计,研发适用于高温振动监测的低温漂MEMS压电振动传感器。  

研究亮点

本工作通过MEMS压电工艺制备了AlScN测试结构(图1)。基于该结构,表征了压电薄膜室温至600℃的晶格取向与结晶质量,以及压电系数和机电耦合系数的温度特性,如图2所示。从室温至600℃, (002)方向的压电晶向十分稳定,半峰宽的变化小于0.03°,没有发生任何相变,压电材料由常温至200℃压电系数d33约为8.5±0.5pC/N,说明其压电效应具有良好的温度稳定性。同时在空气环境中对200℃时的机电耦合系数进行300小时长期稳定性的测试,进一步证明了其良好的温度稳定性。

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图1 AlScN压电材料测试结构

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图2 AlScN压电材料高温特性:(a)原位变温XRD;(b)原位变温摇摆曲线;(c)半峰宽随温度的变化;(d)压电系数d33随温度的变化;(e)机电耦合系数长期热稳定性。

设计了MEMS压电振动传感器,结构如图3所示。当外部振动激励施加到质量块上时,悬臂梁发生受迫拉伸与收缩,压电层内部产生应变,引发极化反应,从而在压电层的上下表面感应出正负电荷,将机械能转化为电能,从而实现振动传感。

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图3 MEMS压电振动传感器:(a)顶视图;(b)底视图;(c)截面图;(d)传感原理;(e)实物图。

在性能表征方面,图4(a)显示了振动传感器在3 Hz至20 kHz频率范围内1 g的外部加速度下的频率响应。可以观察到,振动传感器在高达约 8000 Hz 频率范围内表现出相对平坦的响应。图4(b)显示了振动传感器的量程和线性度,其在500g大量程下仍具有非常良好的线性度,非线性误差仅为0.14%。根据拟合曲线的斜率表明该传感器的灵敏度约为0.59pC/g。图4(c) 显示了振动传感器在垂直于灵敏轴的360°平面内,最大横向灵敏度仅为1.08%,特别适用于恶劣环境下的振动监测。

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图4 MEMS压电振动传感器性能测试:(a)频率响应;(b)线性度及量程;(c)横向灵敏度。

通常情况下,MEMS传感器在宽温域环境下会受到封装热应力的影响,导致器件刚度随温度而变化,从而使器件性能发生温漂。为解决这一问题,本研究团队设计加工了应力隔离结构(图5),从而减小传感器温漂。

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图5 (a)应力隔离结构三维模型;(b)优化前后截面示意图;(c)带有应力隔离结构的MEMS振动传感器实物图。

通过高温振动测试系统对传感器的温漂进行了表征(图6)。由于粘接剂固化温度为200℃,所以在200℃附近为零热应力,有无隔离结构的传感器在200℃附近性能相近。应力隔离后,传感器的谐振频率温漂由25%降低至1%,灵敏度温漂由-40.4%降低至2.6%,减小了约16倍。有应力隔离的传感器灵敏度温漂系数仅为0.015%/℃。将有无隔离结构的传感器放入加热炉中,并承受恒定的 1 g 振动载荷,在室温和200℃下测得的时域信号如图6(c)(d)所示。结果显示,添加应力隔离结构的传感器在很宽的温度范围内保持稳定的性能,无需额外校准电路即可实现稳定的振动监测。

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图6 MEMS压电振动传感器:(a)谐振频率;(b)灵敏度随温度的漂移;(c)(d)有无隔离结构的MEMS振动传感器在室温及200℃测得的时域振动信号。

总结与展望

本工作使用热稳定的压电材料,并通过应力隔离结构,设计制造了宽频带、大量程、低温漂MEMS压电振动传感器,在工业极端环境振动监测领域具有重要的应用前景。未来,研究团队将进一步完善传感器的封装制备工艺。除此之外,还将在传感器中集成信号调理电路,形成IEPE通用接口,提高在极端环境下信号远距离传输的鲁棒性。

论文链接:

https://doi.org/10.1016/j.measurement.2025.118694


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