美国国际贸易委员会裁定英飞凌在针对英诺赛科的专利侵权案中胜诉
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美国国际贸易委员会裁定英飞凌在针对英诺赛科的专利侵权案中胜诉
美国国际贸易委员会（ITC）的最终裁定可能会对英诺赛科产生重大影响，因为其涉嫌侵权的氮化镓相关产品或将被禁止进入美国市场。此次判决不仅突显了英飞凌在半导体领域内专利布局的坚实基础，也进一步巩固了其在全球氮化镓技术领域的领先地位。
ITC认定，英诺赛科使用的技术涉嫌侵犯英飞凌所持有的氮化镓（GaN）相关专利。在初步审查阶段，委员会也确认了英飞凌提出的两项专利在法律上具有效力。核心争议点在于英诺赛科未经许可使用了英飞凌受专利保护的关键技术。最终裁决预计将在2026年4月2日公布，若维持当前结果，英诺赛科相关产品将面临禁入美国的风险。
英飞凌300mm GaN技术
英飞凌科技股份公司高级副总裁、氮化镓业务线负责人Johannes Schoiswohl表示：“此次裁定再次证明了我们在知识产权保护方面的坚实实力，也体现了我们维护公平市场竞争环境的坚定立场。我们始终致力于推动技术创新和半导体技术的发展，以应对全球日益严峻的能源与数字化挑战。”
这是英飞凌在氮化镓领域获得的又一项积极裁决，进一步验证了其在该技术领域积累的深厚技术资产。在德国，另一项并行的司法程序也取得了进展，德国专利局近期确认了一项英飞凌专利的有效性，并在稍作调整后维持该专利。英飞凌已在慕尼黑地方法院对英诺赛科发起侵权诉讼。2025年8月，慕尼黑第一地方法院已裁定英诺赛科侵犯了英飞凌的另一项氮化镓专利。
作为氮化镓市场的主要垂直整合制造商（IDM），英飞凌拥有业内最全面的知识产权体系，涵盖约450个GaN专利家族。氮化镓在构建高功率密度、高能效的功率系统中发挥着不可替代的作用，广泛应用于可再生能源、AI数据中心、工业自动化和电动汽车等多个关键领域。
相比传统半导体材料，氮化镓器件具备更高的功率密度、更快的开关响应及更低的功耗，从而有助于实现更紧凑的系统设计，降低整体能耗并减少热损耗。在功率电子器件市场，英飞凌在硅（Si）、碳化硅（SiC）以及氮化镓（GaN）三大核心材料上均处于行业前列，并持续引领行业技术革新。
关于英飞凌
英飞凌科技股份公司是全球领先的半导体企业，专注于功率系统和物联网解决方案，致力于推动低碳化与数字化转型。截至2025年9月，英飞凌在全球拥有约57,000名员工。2025财年（截至9月30日），公司营收约为147亿欧元。英飞凌股票在法兰克福证券交易所（代码：IFX）和美国OTCQX市场（代码：IFNNY）上市。
英飞凌中国
自1995年进入中国以来，英飞凌在中国市场稳步发展。自1995年在无锡设立首家工厂以来，公司在中国建立了完整的业务链条，包括制造、销售、市场及技术支持等环节。目前，英飞凌在中国拥有超过3000名员工，与中国多家领先企业及高校在技术应用与人才培养方面展开了深入合作。
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[1] US 9,899,481
[2] US 9,899,481 and US 9,070,755
[3] DE102017100947
[4] DE102014113465
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