铠侠岩手县晶圆厂计划2026年量产332层NAND闪存

感知世界 20251213

  • 人工智能

铠侠岩手县晶圆厂计划2026年量产332层NAND闪存

据日本媒体报道，全球领先的存储解决方案供应商铠侠（Kioxia）正计划于2026年在其岩手县北上市的K2晶圆厂投入第10代3D NAND闪存的量产。此举旨在应对人工智能（AI）数据中心对高性能存储设备日益增长的需求。

据披露，铠侠即将量产的新型NAND闪存被命名为BiCS10 3D NAND。这款产品基于更高密度的三维堆叠结构，将存储单元层数由当前第8代的218层提升至332层。通过这一结构优化，BiCS10在单位面积存储容量上实现了59%的提升，同时数据传输速率提高了33%，整体能效也有所优化。

作为NAND闪存领域的领先厂商，铠侠近年来持续加码3D NAND技术的研发投入，不断推动堆叠层数与性能的突破。此次BiCS10的量产不仅体现了铠侠在存储堆叠工艺上的技术积累，也为AI、云计算等数据密集型应用提供了更具竞争力的存储解决方案。

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