插卡式功率半导体IGBT静态参数测试机
普赛斯ATE-3146静态测试机是一款专注于Si/SiC MOSFET、IGBT、GaN HEMT等功率芯片及器件的静态参数测试系统；采用PXIe通信架构方案，支持板卡灵活扩展与高精度电学特性分析；支持单卡1200V大电压、单卡400A大电流输出，且蕞大可扩展至3500V、2000A；可与探针台(Prober)、分选机(Handler)等外设联机使用，应用于半导体产线KGD、DBC及FT工站的芯片及器件的高效分选测试。
产品特点：
单工站MOS DC IV参数测试UPH高达9K(注：单工站，7个DC IV测试项)
单台主机支持3工站IV+CV或4工站IV并行测
专用于Si/SiC MOSFET、二极管、三极管、IGBT等KGD、DBC及FT测试
采用PXIe板卡架构，可根据需求灵活搭配板卡实现精准把控测试成本
单卡高达2G局部通信总线带宽支持PXIe，TrigBus同步触发支持高达8线局部总线同步
6U标准板卡兼容3U板卡
提供单卡1200V大电压、 单卡400A大电流输出能力
支持扩展高压、高流模组，蕞高可达3500V/2000A
内置精密测量电路,实现pA级和uΩ级的精准测量
CV测试中速模式下基本精度高达0.05%
测试项目
二极管：反向击穿电压VR、反向漏电流IR、正向电压VF、正向电流IF、电容值Cd
三极管：V(BR)CEO、V(BR)CBO、V(BR)EBO、ICBO、ICEO、IEBO、VCESAT、VBESAT、增益hFE、Cobo、Cibo
Si MOS/IGBT/SiC MOS/GaN FET：V(BR)DSS/V(BR)CES、IDSS/ICES、VCE(sat)、RDS(on)、VSD/VF、VGS(th)/VGE(th)、IGSS/IGES、栅极内阻Rg、输入电容Ciss/Cies、输出电容Coss/Coes、反向传输电容Crss/Cres、跨导gfs
系统组成
普赛斯ATE-3146静态测试机，主要包括测试主机及板卡，测试夹具，工控机、上位机软件等构成。整套系统采用普赛斯自主开发的测试主机，内置高压模块，低压模块，高流模块，电容模块、高压采集卡、DIO卡等。 配合探针台Prober、分选机Handler可以实现KGD裸芯片，DBC测试，FT测试等。结合专用上位机测试软件，可根据测试项目需要，设置不同的电压、电流等参数，以满足不同测试需求。测试数据可保存与导出，支持各类格式。
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