imec 研究揭示高氧环境助力提升光刻效率
不颓废科技青年
2 月 28 日消息，半导体光刻图案化的核心步骤是根据所需电路结构用光线照射涂覆在晶圆上的光刻胶，此后对于部分类型光刻胶需要进行烘烤来加速所需图案的呈现。
imec 研究揭示高氧环境助力提升光刻效率
比利时校际微电子研究中心 imec 最近在实验平台中展示了一项重要发现：在高数值孔径极紫外光刻（High NA EUV）应用中，金属氧化物光刻胶（Metal Oxide Resist, MOR）在高于常氧浓度的环境下，其烘烤过程表现出更显著的热膨胀效应。这一现象意味着，达到相同工艺效果所需的光刻曝光剂量可以降低，从而缩短曝光时间，提高整体光刻效率。
研究人员在测试中采用了 50% 的氧浓度环境，结果显示烘烤速率提升了 15 至 20%。这一改善在商用 MOR 材料与实验用 MOR 模型中均得到验证，表明高氧浓度策略具备推广至实际光刻流程中的潜力，为优化半导体制造中的光刻环节提供了新的研究方向。
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