存储市场供需失衡 NAND现货价格单月暴涨25%

3月6日消息，据DigiTimes汇总的市场数据，2026年2月存储芯片现货价格全面飙升，其中NAND闪存晶圆的表现尤为激进。

据DigiTimes最新分析，当前存储市场供需矛盾持续加剧，推动现货价格加速攀升，采购成本压力显著上升。这种趋势若持续，可能将影响整个产业周期的稳定性。

2026年2月，1Tb TLC闪存晶圆现货价格飙升25%，达到25美元/片，创下该品类单月最大涨幅的历史纪录，反映出市场紧张态势。

在DRAM市场方面，DDR5 16Gb（2Gx8）芯片平均售价升至39美元，环比增长7.4%。DDR4价格表现呈现分化：16Gb版本仅微调0.26%至78.10美元，而8Gb版本则上涨6.8%，报收33美元。DDR3 4Gb芯片价格同样上涨7.5%，目前为5.70美元。

2月中旬的春节假期短暂抑制了交易活跃度，但节后现货市场迅速回暖。尽管DDR4现货价格环比涨幅较1月20%-30%的月度涨幅有所减缓，但DigiTimes强调，这种回落仅是季节性因素，而非结构性供需压力得到缓解。

现货价格的上涨背后，是合约价格预测持续调高。TrendForce最新预测显示，2026年第一季度常规DRAM合约价格涨幅预期已由55%-60%上调至90%-95%。PC DRAM合约价更是预计环比翻倍，创下季度涨幅新高；NAND闪存合约价涨幅亦由33%-38%上调至55%-60%。

本轮存储价格飙升主要受到AI基础设施建设需求的驱动。自2025年底以来，北美主要云服务提供商提前锁定大量订单，将产能优先配置于服务器级DRAM和高带宽内存产品，造成常规DRAM及消费级NAND供应严重短缺。

即便是具备稳定供应商配额的一级PC OEM厂商，其库存水平也处于持续下降状态，市场紧张程度可见一斑。

在NAND闪存领域，长期价格走势更为严峻。据中国闪存市场数据显示，自2025年10月以来，1Tb QLC/TLC闪存晶圆价格已累计上涨三倍，而512Gb TLC价格同期涨幅接近五倍。

当前，多数供应商正将产能集中转移至利润更高的企业级SSD产品线，这进一步限制了模组厂商的晶圆供应，形成对整个NAND品类的持续上涨压力。

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