群光电能携手英飞凌CoolGaN™ G5晶体管，打造高性能笔记本适配器
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群光电能携手英飞凌CoolGaN™ G5晶体管，打造高性能笔记本适配器
2026年3月13日，德国慕尼黑——全球领先的半导体解决方案提供商英飞凌科技（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）宣布，全球知名笔记本适配器制造商群光电能已在其产品中采用英飞凌的CoolGaN™ G5氮化镓晶体管，为一线笔记本品牌提供多款高功率适配器。
这一设计彰显了GaN功率器件在推动充电器小型化、高效化方面的潜力，为笔记本电脑等主流计算设备带来更紧凑的外形和更优的可持续性。
笔记本适配器示意图
此次适配器的核心组件为英飞凌CoolGaN™ G5晶体管。该晶体管专为在多种工作条件下实现高效开关和低导通损耗而设计，其采用混合漏极GIT（栅极注入晶体管）结构，提供了卓越的高压栅极性能、出色的动态导通电阻（RDS(on)）表现，以及显著优化的饱和电流能力。
凭借这一技术优势，英飞凌G5系列晶体管在关键性能指标如RDS(on)*Qg方面相较上一代产品最多提升了30%，从而大幅增强了整体可靠性。
英飞凌科技氮化镓业务线负责人Johannes Schoiswohl表示：“CoolGaN™ G5晶体管体现了我们对高性能、可靠功率器件的持续承诺。与群光电能的合作，不仅为一线品牌提供了更小、更高效的适配器方案，还推动了氮化镓技术在消费电子领域的大规模应用。”
群光电能研发副总裁王洋指出：“英飞凌的G5晶体管为我们带来了更高的设计灵活性，使我们在有限的空间内实现了更高的功率密度与能效。这次合作成功推出了符合高端笔记本用户需求的充电解决方案。”
结合群光电能的设计能力与英飞凌的G5 GaN晶体管优势，该方案在工程实现上表现出多项亮点：利用GaN的高频开关性能，优化了PFC和DC/DC级的电源架构；通过优化PCB布局、滤波设计与开关波形，有效降低电磁干扰（EMI）并满足严格的兼容标准；此外，其热管理策略实现了在紧凑外壳内稳定运行100-300W连续输出。
近年来，英飞凌不断丰富其GaN产品组合，仅过去一年就推出了超过40款GaN新产品，成为众多寻求高性能氮化镓方案客户的首选供应商。目前，公司正推进300mm GaN晶圆的量产计划，首批样品已交付客户。这一工艺的引入将大幅提升GaN器件的产能和交付速度，进一步巩固英飞凌在该领域的领先地位。
供货信息
如需了解英飞凌CoolGaN™ G5系列晶体管的更多详情，欢迎访问英飞凌官网。
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