台积电规划于2028年在日本实现3纳米制程芯片量产

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台积电规划于2028年在日本实现3纳米制程芯片量产

根据中国台湾经济部3月31日晚间公布的相关核准文件,台积电计划于2028年在日本设立的第二座晶圆厂内启动3纳米(3nm)制程芯片的设备部署与量产作业。

此前在2月,日本当地媒体曾报道,台积电有意将其熊本厂区第二座厂房(Fab23 P2)的主产工艺由原本规划的6纳米提升至更先进的3纳米制程,该消息现已获得证实。

据披露,该厂区设计月产能为15,000片12英寸晶圆,预计自2028年起逐步完成设备安装及调试,并进入晶圆量产阶段。

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