长电科技实现玻璃基TGV射频IPD性能突破
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长电科技实现玻璃基TGV射频IPD性能突破
长电科技近日宣布，已成功完成基于玻璃通孔（TGV）结构与光敏聚酰亚胺（PSPI）再布线（RDL）工艺的晶圆级射频集成无源器件（IPD）工艺验证。这项技术进展标志着其在高频器件制造领域的又一重要里程碑。
通过构建以TGV为核心的3D互连架构，长电科技在玻璃基板上实现了电感、电容等核心无源元件的集成。相较于传统平面结构，该方案将电感设计升级为三维立体布局，有效降低了高频信号传输中的能量损耗，并显著提升了器件的品质因数（Q值）。
实验数据显示，在相同电感值条件下，3D电感的Q值相较于传统平面设计提升了近50%。此外，该技术在整体性能上也超越了基于硅基的IPD工艺路线，展现出更强的高频响应能力与更低的信号衰减。
这一创新成果为射频模块的微型化、高集成化发展提供了新的技术路径，有助于推动5G通信、物联网及高精度传感器等应用领域的产品升级。
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