英诺赛科赢得关键裁决：ITC确认其GaN器件未侵权

电子创新网 20260511

英诺赛科赢得关键裁决：ITC确认其GaN器件未侵权

2026年5月8日，英诺赛科宣布，美国国际贸易委员会（ITC）在编号为337-TA-1414的调查中作出最终裁定，确认其目前在美国市场销售和进口的氮化镓（GaN）功率器件未侵犯英飞凌所持有的相关专利。

ITC全体委员一致裁定，英诺赛科的现有产品未触及英飞凌的美国第9,070,755号专利（涉及电极结构设计）和第9,899,481号专利（涉及封装设计）。该裁决表明，英诺赛科在GaN功率器件领域具备独立的创新能力和知识产权。

在该裁决中，委员会仅认定第481号专利中的两项权利要求具有有效性，并指出其被侵权的部分仅涉及英诺赛科此前已停产且不再销售的旧款产品。因此，相关进口限制和销售禁令对该公司目前的美国市场运营并无实质性影响。

此次判决不仅确认了英诺赛科技术路线的合法性，也表明其产品线能够继续稳定供应给美国及全球客户。ITC的裁定也有效阻止了英飞凌通过专利诉讼手段限制市场竞争的尝试。

当前，功率半导体行业正处于技术快速迭代的关键阶段，技术性能和产品可靠性是驱动市场发展的核心因素。该裁决再次表明，行业进步应依赖于产品创新能力，而非无实据的法律手段。

本信息来源于英诺赛科 INNOSCIENCE。

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