英飞凌推出XHP™ 2 CoolSiC™高功率模块，赋能高压电力系统高效能升级
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英飞凌推出XHP™ 2 CoolSiC™高功率模块，赋能高压电力系统高效能升级
2026年5月20日，德国慕尼黑——英飞凌科技，全球领先的半导体解决方案提供商，专注于功率系统与物联网技术，近日推出了搭载2300V CoolSiC™ MOSFET的XHP™ 2功率模块系列，进一步扩充其高压功率产品线。
该模块专为高压电力系统设计，支持最高1500V直流母线电压，符合当前电力行业不断追求更高系统电压的趋势。模块提供多种配置，导通电阻（RDS(on)）范围为1mΩ至2mΩ，绝缘等级达4kV或6kV。
与传统硅基器件相比，该模块基于碳化硅（SiC）技术，有效降低开关与导通损耗，从而提升逆变器效率和功率密度，或支持更高频率的运行，有助于降低谐波并缩小系统体积。XHP™ 2 CoolSiC™ MOSFET模块主要面向可再生能源应用，如风力发电、光伏发电以及电池储能系统。
英飞凌推出的XHP™ 2 CoolSiC™ MOSFET模块，采用对称开关设计，便于在大功率变换器中实现并联操作，并提供统一的标准化平台，帮助工程师在不同应用需求下实现效率与性能的平衡。
所有模块均采用英飞凌成熟的.XT互连技术，提升了系统可靠性并延长了器件使用寿命。同时，部分型号预涂导热界面材料，既简化了组装流程，又确保了稳定有效的散热。
这些技术优势带来了显著的系统级性能提升。在风力发电测试中，模块实现了300 kW/L的功率密度；而在电池储能系统的测试中，低损耗特性使整体效率达到99.3%。此次产品扩展为可再生能源应用中的新一代高压电力系统提供了多样化的解决方案。
供货信息
当前，2300V XHP™ 2 CoolSiC™ MOSFET模块包括FF1000UXTR23T2M1、FF1300UXTR23T2M1、FF2000UXTR23T2M1和FF1000UXTR23T2M1_B5型号，已可通过英飞凌及其全球分销渠道采购。
如需了解更多产品信息，欢迎访问：https://www.infineon.com/products/power/mosfet/silicon-carbide/modules
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