三安光电突破先进封装散热技术瓶颈，加速AI芯片效能升级
三安光电突破先进封装散热技术瓶颈，加速AI芯片效能升级
随着人工智能芯片计算能力的不断提升，其功耗也同步上升，传统CoWoS等封装方案中的硅中介层已面临散热性能极限。在此背景下，材料层面的技术创新成为突破先进封装瓶颈的关键。据Fortune Business Insights预测，2025年全球先进封装市场价值将达到423亿美元，到2034年有望增长至704亿美元。高算力芯片的发展趋势正为先进封装产业注入强劲动能。
在化合物半导体领域具备全产业链布局的三安光电，积极布局碳化硅、金刚石等宽禁带材料，重点围绕AR光学、中介层及热沉三个核心方向展开研发，已建立起在先进封装领域的差异化技术优势。目前，多项关键成果正进入送样及批量交付阶段，为全球AI芯片性能优化提供有力支持。
宽禁带材料赋能AR光学衬底，夯实封装基础
在AR光学衬底领域，碳化硅凭借其折射率（约2.7）远高于传统玻璃（约2.0），以及热导率高出玻璃百倍的优势，展现出卓越的光学与热传导特性。三安光电整合Micro LED与碳化硅光学材料制造能力，其8英寸碳化硅光学衬底已通过客户验证，12英寸产品则实现小批量交付，为AR设备性能提升提供关键材料支持。
碳化硅中介层攻克散热难题，匹配高端AI封装需求
碳化硅中介层以其热导率约为硅的三倍，有助于降低GPU结温20–30°C，同时减少约30%的散热成本，成为破解高算力芯片散热难题的有效方案。当前，三安光电正与头部客户合作推进12英寸碳化硅中介层在下一代AI芯片封装中的验证工作，预计将成为先进封装领域的主流技术路径。
双材料热沉布局，满足多场景散热需求
在热沉材料方面，三安光电同步推进金刚石与碳化硅两条技术路径，覆盖多样化的散热应用场景。其中，金刚石热沉基板热导率高达2300 W/(m·K)，在大功率激光器中相比陶瓷基板可显著降低热阻，并已通过1000小时老化测试并实现批量交付；碳化硅热沉产品亦已完成送样测试，正逐步推进商业化。
完善全链产能布局，支撑技术规模化落地
产能建设是技术产业化的重要保障。三安光电已在湖南与重庆建成两大核心生产基地，形成涵盖衬底、外延到模块的全链条制造体系。湖南基地具备月产16000片6英寸碳化硅芯片、1000片8英寸衬底及2000片8英寸外延片的能力，8英寸碳化硅芯片产线已实现通线量产；重庆基地则拥有月产3000片8英寸碳化硅衬底的产能，正逐步释放供给能力。
三安湖南基地已推出覆盖650V至2000V全电压等级的碳化硅二极管产品，累计出货量达4亿颗，投产三年内销售收入接近20亿元，在国内碳化硅功率器件市场占据领先地位，为先进封装材料的大规模应用提供了坚实的市场基础。
依托宽禁带材料技术优势，三安光电持续布局前沿工艺，推动核心材料突破，以本土化方案支撑全球AI芯片效能提升，助力先进封装产业迈向更高层次。
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