DS1669:Dallas Semiconductor 数字电位器解决方案

中国IC网 20260610

  • 工业控制
  • 数字电位器
  • EEPROM存储

DS1669:Dallas Semiconductor 数字电位器解决方案

产品特性

  • 作为传统机械电位器的电子替代方案
  • 支持数字控制与手动控制的混合接口
  • 宽电压输入范围,4.5V 至 8V
  • 断电后仍可保持滑动触点位置
  • 提供比传统机械控制更具成本效益的解决方案
  • 适用于音量、音调、亮度、对比度及调光控制等应用
  • 提供 8 引脚 SOIC 与 8 引脚 DIP 两种封装形式
  • 标准电阻值选项包括:
  • DS1669-10:10kΩ
  • DS1669-50:50kΩ
  • DS1669-100:100kΩ
  • 工作温度范围:-40°C 至 +85°C(工业级)

产品描述

DS1669 是 Dallas Semiconductor 推出的一款数字电位器,具备 64 个均匀分布的触点,覆盖标准电阻值 10kΩ、50kΩ 和 100kΩ。该器件可通过开关触点闭合或数字输入(如 CPU)进行控制。其内部集成的 EEPROM 存储单元确保在断电状态下仍能保留滑动触点位置,且支持超过 50,000 次的写入操作。

DS1669 提供两种标准封装形式:8 引脚 300 密耳双列直插式封装(DIP)和 8 引脚 208 密耳单列直插式封装(SOIC)。通过调整上电条件,可配置为单按钮、双按钮或数字输入控制模式。该器件支持访问电位器的 RL、RH 两端及滑动触点 RW,控制输入包括数字源输入 D、上触点输入 UC 和下触点输入 DC。电源输入包括 +V 和 -V,工作温度范围为 -40°C 至 +85°C。

操作方式

DS1669 可通过单触点闭合、双触点闭合或数字输入进行操作。图 1 和图 2 展示了两种触点闭合配置。触点闭合定义为 UC 或 DC 输入从高电平到低电平的跳变。所有控制输入在低电平时有效,高电平时无效。

该器件通过输入脉冲宽度控制滑动触点的移动。在 UC、DC 或 D 输入端施加一个脉冲,可使滑动触点移动总阻值的 1/64。脉冲的起始点为高到低的跳变。单个脉冲需持续至少 1 毫秒,但不得超过 1 秒。脉冲时序如图 5 所示。

重复脉冲输入可用于快速遍历所有电阻位置(见图 5b)。重复脉冲之间需间隔至少 1 毫秒。若输入信号无法提供至少 1 毫秒的非活动时间,则 DS1669 会将其视为单个脉冲。

持续超过 1 秒的脉冲输入将使滑动触点在初始 1 秒后,每 100 毫秒移动一个位置。通过连续输入脉冲穿越整个电位器的总时间计算公式如下:

≈1 秒 + 63 × 100 毫秒 = 7.3 秒

在单触点闭合操作中,用户可通过单次按键控制滑动触点向任意方向移动。图 1 展示了典型的单按键配置。在该模式下,UC 输入用于增加或减少滑动触点位置,DC 输入则无功能,但需连接至正电源电压(VCC)。数字输入 D 可悬空。

设备上电时,必须采用图 1 所示的配置,即 DC 输入直接连接至 VCC,才能进入单触点闭合操作模式。在单按钮模式下,滑动触点的初始移动方向由上一次操作决定。若需改变方向,可在 UC 输入端保持非活动状态至少 1 秒,或使滑动触点到达电位器的末端。

数字输入 D 专为微处理器控制设计,其操作方式与单按钮配置相同,但支持更快的滑动触点移动速度。无论采用何种按钮配置,数字输入控制均可使用。

当 DC 输入在上电时处于浮空状态时,设备将进入双按钮操作模式。若将触点闭合控制输入连接至数字逻辑,则 DC 输入必须连接至开漏驱动器,以防止进入单按钮模式(见图 2B)。

在双按钮模式下,UC 和 DC 输入分别控制滑动触点的两个方向。与单按钮模式不同,双按钮模式下无需等待状态即可改变方向。在单按钮模式下,滑动触点到达电位器末端后,方向将保持不变,直到接收到反向输入。

所有触点闭合控制输入(UC、DC 和 D)均通过 100kΩ 电阻进行内部上拉。UC 和 DC 输入已内置去抖功能,无需外部组件。

电源与电气特性

DS1669 提供两个电源输入端:+V 和 -V。最大电压差为 8.0V,最小为 4.5V。所有输入电压均以 -V 为参考。施加到任何端子的电压不得超过 -V -0.5V 或 +V +0.5V。

当 +V = 5V 时,逻辑高电平需高于 +2.4V(以 -V 为参考),逻辑低电平需低于 +0.8V。DS1669 的滑动触点电阻为 400Ω,最大为 1000Ω。最大允许滑动触点电流为 1mA。

非易失性滑动触点设置

DS1669 在断电状态下仍能保持滑动触点位置,该功能通过内部 EEPROM 存储单元实现。在正常工作状态下,滑动触点位置由输入多路复用器决定,并定期更新至 EEPROM。更新过程已优化,以确保可靠性与性能,且对用户完全透明。

设备上电后,滑动触点位置将恢复为 EEPROM 中最后记录的值。若在上电后更改设置,新值将在 2 秒延迟后存储。首次更改将在上电后立即存储。

在首次更改后,只有当滑动触点移动超过总电阻范围的 12.5% 时,EEPROM 才会更新。由于 DS1669 为 64 选 1 多路复用器,12.5% 的变化对应于第四个最低有效位(LSB)。

EEPROM 更新操作需预留 2 秒延迟,以确保写入成功。EEPROM 设计支持超过 80,000 次写入操作。若达到磨损极限,设备仍可正常工作,但滑动触点位置将恢复为磨损前的最后记录。

操作流程图与时序图

查看全文

点赞

中国IC网

作者最近更新

  • DRV1100:高性能差分驱动放大器
    中国IC网
    1天前
  • DS1669:Dallas Semiconductor 数字电位器解决方案
    中国IC网
    3天前
  • DS1705/DS1706:3.3V与5.0V微处理器监控器
    中国IC网
    4天前

期刊订阅

相关推荐

  • 矿业巨头扩大自动驾驶卡车车队:为卡车安装自主牵引系统

    2018-12-07

  • 世界在建最大水电站埋设有成千上万的传感器

    2018-12-09

  • 我国传感器生产销售现状及未来发展空间展望

    2018-12-09

  • 传感器技术在科技创新背景下资源革命中的应用

    2018-12-18

评论0条评论

    ×
    私信给中国IC网

    点击打开传感搜小程序 - 速览海量产品,精准对接供需

    • 收藏

    • 评论

    • 点赞

    • 分享

    收藏文章×

    已选择0个收藏夹

    新建收藏夹
    完成
    创建收藏夹 ×
    取消 保存

    1.点击右上角

    2.分享到“朋友圈”或“发送给好友”

    ×

    微信扫一扫,分享到朋友圈

    推荐使用浏览器内置分享功能

    ×

    关注微信订阅号

    关注微信订阅号,了解更多传感器动态

  • #{faceHtml}

    #{user_name}#{created_at}

    #{content}

    展开

    #{like_count} #{dislike_count} 查看评论 回复

    共#{comment_count}条评论

    加载更多

  • #{ahtml}#{created_at}

    #{content}

    展开

    #{like_count} #{dislike_count} #{reback} 回复

  • #{ahtml}#{created_at}

    #{content}

    展开

    #{like_count} #{dislike_count} 回复

  • 关闭
    广告