芯联集成启动四期项目：强化新能源汽车与工业控制基础，拓展AI服务器电源与光互联市场

芯联集成（688469.SH）近日宣布，将在绍兴市与相关合作伙伴共同建设一条月产能达5万片的12英寸数模混合芯片生产线。该项目作为公司四期工程，总投资额约为200亿元，其中芯联集成出资30.12亿元，持股比例为25.1%。

此次四期项目的启动，标志着芯联集成在巩固新能源汽车与工业控制两大核心市场的同时，正有条不紊地拓展至AI服务器电源与光互联等新兴高增长领域，构建“核心业务稳固、新兴赛道拓展”的双轮驱动战略。

四期项目将重点布局五大工艺平台，具体规划如下：

55nm至28nm车规级MCU及AI端侧DSP芯片平台：服务于智能汽车、工业自动化及AIoT三大应用场景。其中，AI端侧DSP的布局是公司向AI应用领域延伸的关键一步，旨在为边缘智能提供更强的算力支持。
90nm数模混合芯片平台：聚焦国内稀缺的高性能、高功率、高可靠性的BCD技术，主要面向新能源汽车、工业控制及高端消费电子市场。
55nm AI服务器高频电源管理芯片制造平台：针对AI服务器电源系统，为CPU/GPU提供高功率密度的供电解决方案。公司正加快高端电源管理芯片的产能扩张，以满足全球AI算力需求的快速增长。
55nm硅光芯片平台：面向数据中心光互连、AI集群通信及高速光模块等应用。在一期8英寸硅光芯片扩产和三期12英寸90nm硅光技术的基础上，四期将进一步扩大55nm硅光芯片的产能，深化在光互联领域的布局。
面向光引擎的55nm SiGe跨阻放大器和激光驱动芯片平台：覆盖高速光模块接收端与发射端的核心电芯片。该平台与55nm硅光平台形成“硅光+配套电芯片”的协同效应，可为客户提供从光接收到光发射的完整光引擎代工方案。

四期项目的实施，不仅有助于芯联集成巩固其在核心业务领域的优势，也标志着其在AI服务器电源与光互联两个高增长赛道的深入布局。

在一期、二期、三期项目陆续投产的基础上，随着四期项目的推进，芯联集成的整体晶圆制造产能将突破40万片/月（折合8英寸）。这一产能跃升将为其在新能源汽车、工业控制等核心市场提供更坚实的制造保障。

在200亿元投资的支撑下，四期项目的建设将进一步增强芯联集成在功率器件、高端模拟芯片、MCU及DSP等领域的技术与产能优势。同时，也将加快国内硅光芯片制造能力的提升，使其在AI算力基础设施建设中发挥更加关键的作用。

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