GT Advanced Technologies和安森美半导体签署生产和供应碳化硅材料的协议
根据该协议，GTAT 将向高能效创新的全球领袖之一的安森美半导体生产和供应 CrystX™碳化硅（SiC）材料，用于高增长市场和应用。
近日，GT Advanced Technologies（GTAT）和安森美半导体（ON Semiconductor）宣布执行一项为期五年的协议，总价值可达 5000 万美元。根据该协议，GTAT 将向高能效创新的全球领袖之一的安森美半导体生产和供应 CrystX™碳化硅（SiC）材料，用于高增长市场和应用。
GTAT 总裁兼首席执行官 Greg Knight 说：“我们很高兴与安森美半导体合作，该公司是提供电力电子应用的先进半导体公认全球领袖之一。我们今天的协议有助于解决 SiC 作为电力电子应用首选半导体材料的陡峭增长轨迹。”
安森美半导体全球供应链高级副总裁 Brent Wilson 说：“安森美半导体在大批量晶圆生产的 40 年经验结合 GTAT 在 SiC 晶体增长的专知及迅速发展，将创建一个强固、可扩展的供应链，支持活跃的大功率宽禁带市场。我们很高兴与 GTAT 合作，进一步开发 SiC 宽禁带材料技术，并增强我们在这快速发展领域的领先地位。”
高增长应用如电动汽车（EV）牵引系统、混合动力和插电式 EV、太阳能和能源存储，以及 EV 充电等都需要并且依赖于高质量、具成本竞争力的 SiC 材料的稳定供应。安森美半导体将使用 GTAT 专有的 150mm SiC 晶体来制造 SiC 晶圆，以进一步加速成为 SiC 供应链中的垂直集成供应商，并维持其世界级的供应。该协议将促进领先业界的 SiC 的供应，以帮助工程师解决最独特的设计挑战。
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