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LEAPSIC 嘉展力芯半导体青岛嘉展力芯半导体有限责任公司 成立于2021年，公司坐落于青岛嘉展智谷智慧园区，嘉展力芯是一家致力于研发与生产第三代宽禁带半导体功率器件及功率模块的高科技企业，是国内一家拥有车规级碳化硅MOS管、二极管尖端技术的企业 企业愿景中国领先的碳化硅功率器件半导体供应商。致力于研发与生产中高电压第三代宽禁带半导体功率器件及功率模块，做对社会发展有价值，产业兴盛有责任的实体企业！ Shottky tape-out (下线)20221200V/80m SiC MOSFET tape-out(下线)2021嘉展力芯在山东省青岛市注册成立主要产品碳化硅肖特基二极管肖特基二极管是通过金属与N型半导体之间形成的接触势垒具有整流特性而制成的半导体器件 碳化硅功率器件测试实验室产品应用新能源车目前我国已逐步跨入新能源汽车时代，为了满足大输出功率的需求，功率半导体器件材料从硅基IGBT转向碳化硅MOSFET，电压平台从400V升级到800V，搭载的功率半导体器件的需求也大幅提升 电力电网以碳化硅基为代表的宽禁带功率半导体器件,因其高耐压、高耐温、高频开关等优良特性,在中高压领域应用前景广阔。其典型应用之一即因硅基器件耐压水平有限而难有突破的电力电子变压器。
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HMT 恒迈瑞材料公司致力于Wide Bandgap宽禁带半导体晶体材料及晶圆材料，Silicon Substrate 半导体封装材料，Slicing Wafer /IC (Au Bumping Ready)封测Turnkey 苏州恒迈瑞公司下设半导体材料事业部和半导体封测事业部。 苏州恒迈瑞主要产品及定制服务包括：COF封装驱动芯片(Driver IC) 的选型及应用；COF IC柔性封装基板(COF Film) 的设计、开模定制、封测；化合物半导体材料：4H-N型/4H-SI型
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HestiaPower 瀚薪科技上海瀚薪科技有限公司 是一家致力于研发与生产第三代宽禁带半导体功率器件及功率模块的高科技企业，是国内一家能大规模量产车规级碳化硅MOS管、二极管并规模出货给全球知名客户的本土公司。 公司通过十多年的积累，已拥有深厚的、具有自主知识产权的器件设计和工艺研发的能力，已经取得和正在申请的国内外发明专利近50项，突破了国外大厂在碳化硅技术上的垄断，成为大中华区碳化硅功率半导体行业的优秀企业
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Hongwan 弘湾半导体弘湾半导体是一家功率半导体的Fablite 轻资产型设计公司，专注于高性能功率半导体、能源变换与传输核心器件驱动和第三代半导体化合物功率芯片等产品，公司的核心技术及产品涵盖：高性能线性稳压器（LDO）、 MOS/IGBT 栅驱动IC芯片、三相电机驱动、宽禁带半导体氮化镓（GaN）芯片等。
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Dynax 能讯半导体苏州能讯高能半导体有限公司（简称“能讯半导体”）成立于2011年，是国内领先的射频氮化镓（GaN）制造服务商，率先在中国开展了氮化镓射频芯片、功放管的研发与规模商用，为5G移动通讯基站、宽频带通信等射频领域提供高能效半导体产品及解决方案 能讯半导体拥有丰富的射频产品线，覆盖了电信基础设施、射频能源及各类通用市场的应用，形成了从氮化镓管芯到氮化镓功放管的系列化产品平台，满足客户多元化的应用场景需求。 能讯愿景为信息与能量传输提供高效能半导体，成为值得信赖的合作伙伴。
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GaNo Optoelectronics 镓敏光电镓敏光电团队具备强大的技术研发能力，有着丰富的半导体器件设计制造及管理经验，以开发国际上性能领先的紫外传感芯片为使命，为高灵敏度紫外传感提供完美的解决方案。 镓敏光电致力于研发和生产基于新型宽禁带半导体材料的高性能紫外传感器。 宽禁带半导体是近年来国内外重点研究和发展的新型第三代半导体材料，其代表材料包括碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）半导体，具有禁带宽度大、导热性能好、电子饱和漂移速度高以及化学稳定性优等特点，用于耐高温、
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NOYUSEM 蓉矽半导体成都蓉矽半导体有限公司 (NOVUS SEMICONDUCTORS CO., LTD.) 成立于2019年，是致力于第三代宽禁带半导体碳化硅（SiC）功率器件设计与开发的高新技术企业。 发展历程2024年第二代车规级SiC MOSFET正式发布；蓉矽半导体第二代NovuSic® 1200V 20mΩ SiC MOSFET正式发布通过AEC-Q101车规级可靠性认证；蓉矽半导体碳化硅 系统启动仪式；蓉矽半导体WLTBI系统启动仪式在成都总部进行，切实保障SiC MOSFET栅极氧化层可靠性1200V 12m9 NovuSicgMOSFET蓉矽半导体1200V12mΩ NovuSic& reg; MOSFET量产通过ISO三大体系认证；蓉矽半导体顺利通过德国莱茵TÜV集团ISO“质量、环境、健康”三大体系认证与台湾汉磊科技成为长期战略合作伙伴；汉磊科技将蓉矽半导体代工产品优先级列为第一等级 ；设立于成都市高新区外资矽能科技功率半导体孵化器质量管理体系蓉矽半导体拥有ISO 9001质量管理体系认证，建立了IATF 16949供应链体系，严控产业链。
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HXM 华芯微电子2023年07月05日 华芯半导体砷化镓总部研产基地项目打桩动工。2024年01月15日 华芯半导体砷化镓总部研产基地项目厂房已实现全面封顶。 transistor, HBT）由双极结型晶体管（Bipolar junction transistor, BJT）发展而来，因在发射区（Emitter）、基区（Base）和集电区（Collector）使用了不同禁带宽度的半导体材料得名 III-V族化合物砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）及衍生化合物以其直接带隙结构、禁带宽度和优秀的电子迁移率，毋庸置疑地成为HBT器件的最佳材料。 HEMTHEMT 高电子迁移率晶体管（High Electron Mobility Transistor, HEMT）是一种复合半导体场效应晶体管（FETs），它使用两种具有不同能隙的材料，通常包括一个宽禁带半导体 （如AlGaAs）和一个窄禁带半导体（如GaAs）形成异质结，在结界面形成二维电子气层为载流子提供沟道。
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Semipower 芯派科技芯派科技在2018年投资建设了西安芯派新能源汽车动力控制研发中心 和 西安宽禁带半导体器件应用中心。 西安宽禁带半导体器件应用中心，是关于第三代半导体(宽禁带半导体)应用方案的解决中心。 宽禁带半导体应用研究院和上海及苏州研发团队承担公司主要的前沿技术研发，公司完整的Super Junction MOSFET产品线即由上海(及苏州)研发中心所设计；深圳公司则以业务、工程、及品管、仓管等为主 新电源产品芯派新电源为芯派旗下全资子公司“西安宽禁带半导体应用科技研究院有限公司”的简称，主要从事新器件、新封装、新拓扑在电源上的应用研究及成果转化，同时开展高功率密度模块电源的研发、生产及销售工作，拥有独立的电源品牌 FreeREACH认证-符合REACH法规内容公司布局芯派科技股份有限公司（集团总部）深圳市南方芯源微电子有限公司西安功率器件测试应用中心芯派电子科技（香港）有限公司西安芯派新能源汽车动力控制研究院有限公司西安宽禁带半导体应用科技研究院有限公司
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成都岷山功率半导体技术研究院成都岷山功率半导体技术研究院，领军人才为原上海华虹技术负责人张帅博士，团队成员包括原IBM半导体微电子部副总裁白杰先、功率半导体国际著名专家张波等，具备将工艺技术、器件结构、版图设计、器件模型开发、产品设计和系统应用完美结合的能力 依托平台为四川省功率半导体技术工程研究中心。聚焦硅基功率半导体分立器件和功率集成技术、第三代宽禁带功率半导体器件、以及电源管理模块及工艺开发，打造晶圆减薄、可靠性测试两个平台。 愿景及目标研究院愿景整合国内外功率半导体供应链资源，发展前沿应用技术、开发新产品、提出新解决方案、孵化新公司，以满足市场对于功率半导体领域的快速增长需求。 研究院目标在三年内成为全国领先的功率半导体研发及赋能平台，聚集一批优秀的产业化专家，推动一批国内“卡脖子”或国际领先优秀产业化研发项目在研究院落地发展；六年内成功培育一批国内领先的功率半导体产业企业，使他们具有强大的市场竞争力 ；十年内在成都区域形成功率半导体产业聚集效应，将研究院打造为功率半导体产业成果转化的国际高地。
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绍兴滨海新区集成电路产业再添三大创新平台2022-07-01
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深圳发布培育发展半导体与集成电路产业计划，到2025年营收突破2500亿元2022-06-08
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深圳四部门发布集成电路产业计划：到2025年形成完整的宽禁带半导体产业链条2022-06-07
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迎接碳化硅8英寸时代2022-06-02
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宽禁带半导体 GaN 单晶衬底等 21 个重大项目签约苏州高新区2022-05-17
