斥资2亿美元，安世半导体计划在德生产下一代宽禁带半导体
自安世半导体（Nexperia）根据官方网站，当地时间6月27日，安世半导体宣布计划在德国汉堡开发碳化硅，投资2亿美元（SiC）和氮化镓（GaN）以下一代宽禁带半导体为代表的（WBG），并在汉堡工厂（Hamburg site）建立生产基础设施。
同时，硅(Si)二极管和晶体管的晶圆厂生产能力将增加。这项投资是汉堡经济事务部部长Melanieee，在生产基地成立100周年之际 Leonhard博士联合宣布。
声明称，安世半导体将于2024年6月在德国开发和生产SiC，以满足高效功率半导体日益增长的长期需求。、Gan和Si三种技术，这意味着安世半导体正在支持电气化和数字化领域的关键技术。
安世半导体首席运营官兼董事总经理Achimim Kempe表示，这项投资加强了安世作为节能半导体的领先供应商的地位。未来，汉堡工厂将覆盖下一代宽禁带半导体产品，仍将是最大的小信号二极管和晶体管工厂。安世将继续致力于生产高质量、低成本的半导体，用于标准应用和功率密集型应用。
2024年6月，安世半导体首个高压Gan d-Mode晶体管和SiC二极管生产线投产，下一个里程碑将是SiC MOSFET 还有低压GaN HEMT 汉堡工厂未来两年将建成8英寸现代化、性价比高的生产线。该投资将有助于实现汉堡工厂现有基础设施的自动化，并扩大硅生产能力。随着洁净室面积的扩大，新的研发实验室正在建设中，以确保未来从研究到生产的无缝过渡。
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