LM74670-Q1是具有 70uA 栅极驱动的 0.48V 至 42V、零 IQ 汽车理想二极管整流器控制器
产品详情
描述：
LM74670-Q1 是一款控制器器件，可在交流发电机的全桥或半桥整流器架构中与 N 沟道 MOSFET 一起使用。它旨在驱动外部 MOSFET 以模拟理想二极管。该方案的一个独特优势是它不以地为参考，因此它的 I Q为零。AQY211EHAX全桥或半桥整流器和交流发电机中的肖特基二极管可以用 LM74670-Q1 解决方案代替，以避免正向传导二极管损耗并产生更高效的 AC-DC 转换器。
LM74670-Q1 控制器为外部 N 沟道 MOSFET 提供栅极驱动，并提供快速响应内部比较器以在极性反接时下拉 MOSFET 栅极。该设备可支持高达 300Hz 的交流信号频率。
特性：
●AEC-Q100 符合以下结果：
○器件温度等级 1：–40°C 至 +125°C 环境工作温度范围
○超过 HBM ESD 分类等级 2
○器件 CDM ESD 分类等级 C4B
●峰值输入交流电压：42 V
●零智商
●用于外部 N 沟道 MOSFET 的电荷泵栅极驱动器
●与肖特基二极管相比，正向压降低且功耗更小
●能够处理高达 300-Hz 频率的交流信号
应用：
●交流整流器
●交流发电机
●电动工具
●反极性保护
参数：
输入电压 (最小值) (V)：0.48
输入电压 (最大值) (V)：42
特征：线性控制、反极性保护、反向电流阻断
Iq (典型值) (mA)：0
智商（最大）（毫安）：0
IGate 源 (Typ) (uA)：70
IGate 源 (最大) (uA)：67
IGate sink (Typ) (mA)：0.07
IGate 脉冲 (Typ) (A)：0.1
工作温度范围（℃）：-40 到 125
IReverse (典型值) (uA)：110
VSense 反向 (Typ) (mV)：20
设计支持：EVM、参考设计、仿真模型
受控通道 (#)：1
场效应管：外部的
VGS (最大值) (V)：2.5
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