三星最快可在本周开始大规模生产3纳米芯片,能否一举超越台积电?

电子工程世界 20220629

  • 半导体与集成电路
  • 3纳米芯片
  • GAAFET晶体管

早在5月,美国总统乔·拜登参观了三星的平泽园区,并参观了一个将在3纳米工艺节点上运行的尖端技术工厂。业内人士预计,这家韩国巨头将在未来几天宣布开始批量制造,在生产世界上最先进的芯片的过程中击败竞争对手台积电。


三星对其半导体部门有很大的野心,这家工厂也是其2050亿美元计划的一个关键部分,以征服芯片制造、机器人、人工智能和生物制药领域。这些资金中不少于一半将用于先进的芯片工厂以及新工艺节点和新晶体管的研究和开发。


然而,在此之前这家韩国科技巨头在向更小的工艺节点转移时出现了很多产量问题,以至于影响了它的一些最大客户的业务,如高通公司,该公司现在正考虑将台积电用于未来的移动芯片。NVIDIA在处理了Ampere GPU的良品率问题和相对较低的能源效率后,正为其下一代产品选择台积电,这些GPU原本是在三星的8纳米工艺节点上制造的。


随着帕特-盖尔辛格领导的英特尔重新焕发活力,半导体制造领域的竞争正在加剧。三星需要在商业化3纳米制造的竞争中击败其他公司,否则它将无法吸引像NVIDIA、AMD、苹果等大客户。台积电表示,它将在未来几个月开始加大3纳米工艺的批量制造,因此留给他们的机会窗口相当小。


三星显然知道这一点,因此一直在争先恐后地追赶台积电的时间表。但是,尽管该公司确实计划在本月底前开始生产3纳米芯片,但这个时间表可能有点太乐观了。4月份,三星代工的高管告诉投资者,商业生产将在几周内开始,但我们还没有看到关于此事的官方更新。


来自韩国当地媒体的报道显示,三星正准备宣布开始3纳米的批量制造,可能最快在本周。这将是对竞争对手台积电的一次重大挑战,这也意味着这家韩国公司将成为第一个使用全栅极场效应晶体管(GAAFET)的公司。


三星称其实施的3纳米GAAFET晶体管为多桥通道场效应晶体管,但这只是晶体管的一个技术名称,它背后的优势才是关键:功率减少50%,占用的空间减少45%,并能在极低电压下更稳定地运行。


有传言称,三星也已经获得了新工艺节点的第一批客户,该公司是否能够避免重蹈8纳米和4纳米的覆辙将是值得关注的。无论如何,代工业务是三星底线的一个强有力的贡献者,其一半以上的营业利润--约67亿美元和变化--来自芯片部门。


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