台积电已启动2纳米工艺研究，进展如何？
据外媒报道，台积电公布了2019年年报，并在年报中首度提及2nm技术。在2018年年报中，台积电的表述为，公司3nm技术已进入全面开发阶段，而3nm以下的技术已开始定义并密集进行先期开发。
5月7日讯，据外媒报道，台积电公布了2019年年报，并在年报中首度提及2nm技术。在2018年年报中，台积电的表述为，公司3nm技术已进入全面开发阶段，而3nm以下的技术已开始定义并密集进行先期开发。
在2019年年报中，台积电表示，当台积电公司采用三维电晶体之第六代技术平台的3nm技术持续全面开发时，公司已开始开发领先半导体业界的2nm技术，同时针对2nm以下的技术进行探索性研究。
关于3nm制程技术，台积电表示，相较于5nm制程技术，3nm制程技术大幅提升晶片密度及降低功耗并维持相同的晶片效能。2019年，台积电的研发着重于基础制程制定、良率提升、电晶体及导线效能改善以及可靠性评估。台积电表示，今年将持续进行3nm制程技术的全面开发。
台积电未详细介绍2nm制程技术。关于微影技术，台积电表示，去年，微影技术研发的重点在于5nm的技术转移、3nm技术的开发及2nm以下技术开发的先期准备。5nm技术已经顺利地移转，研发单位与晶圆厂合作排除极紫外光微影量产问题。
针对3nm技术的开发，极紫外光（EUV）微影技术展现优异的光学能力，与符合预期的晶片良率。研发单位正致力于极紫外光技术，以减少曝光机光罩缺陷及制程堆叠误差，并降低整体成本。
今年，台积电将在2nm及更先进制程上将着重于改善极紫外光技术的品质与成本。台积电表示，去年极紫外光专案在光源功率及稳定度上，有持续性进展，光源功率稳定与改善，得以加快先进技术学习速度与制程开发。
此外，极紫外光光阻制程、光罩保护膜及相关光罩基板，也都展现显著进步，极紫外光技术正逐步迈向全面生产制造就绪。
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