珠海华芯微电子有限公司 成立于2023年，隶属于华芯(珠海)半导体有限公司。公司位于珠海市高新区唐家湾镇科新二路88号，被认证为珠海市高新区立柱项目以及广东省重点项目。本项目计划投资33.87亿元，建设1.5万片/月的砷化镓射频代工线。项目规划用地面积59.3亩，建筑面积73,978平方米，已于2024年1月全面封顶，2024年7月洁净室建成及设备机台进场，11月产出第一片高功率高效能砷化镓射频6寸晶圆，预计于2025年上半年进入大规模量产阶段。

公司专注于射频化合物半导体晶圆代工业务，面向手机、WiFi路由器、基站、卫星通讯、雷达应用等高、中、低频射频应用终端市场，涵括物联网、车联网、移动穿戴装置、光通讯、光传感装置等应用场景，皆为未来主流的新兴产业。珠海华芯微电子汇聚了专业团队，致力于解决射频晶圆代工卡脖子的问题，期许在未来几年内推出高品质、高良率的制程技术，全力协助国内企业实现百分之百国产化制造。

发展历程

2023年02月15日  珠海华芯微电子有限公司在珠海高新区注册成立。

2023年07月05日  华芯半导体砷化镓总部研产基地项目打桩动工。

2024年01月15日  华芯半导体砷化镓总部研产基地项目厂房已实现全面封顶。

主要产品

HBT

异质结双极型晶体管（Heterojunction bipolar transistor, HBT）由双极结型晶体管（Bipolar junction transistor, BJT）发展而来，因在发射区（Emitter）、基区（Base）和集电区（Collector）使用了不同禁带宽度的半导体材料得名。这种结构允许异质结界面形成能级对齐，使载流子在发射区和基区之间的传输更为高效。III-V族化合物砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）及衍生化合物以其直接带隙结构、禁带宽度和优秀的电子迁移率，毋庸置疑地成为HBT器件的最佳材料。

HEMT

HEMT 高电子迁移率晶体管（High Electron Mobility Transistor, HEMT）是一种复合半导体场效应晶体管（FETs），它使用两种具有不同能隙的材料，通常包括一个宽禁带半导体（如AlGaAs）和一个窄禁带半导体（如GaAs）形成异质结，在结界面形成二维电子气层为载流子提供沟道。器件的栅极（Gate）则通过肖特基势垒（Schottky barrier）与源/漏极（Source/drain）一同控制和调节二维电子气层中的电子流。III-V族化合物半导体因其高电子迁移率、击穿场强和更易得的异质结构，能实现HEMT器件高速、高功率和稳定性等多项优秀性能。

华芯优势

珠海华芯微电子始终坚持自主研发，在拥有夯实的科研与生产基础上敢于技术创新，不断打磨产品品质与服务质量

专业化研发&创新

深耕集成电路与芯片领域多年，我们拥有一支成熟且专业的研发团队，在创新与优化之路上勇往直前！

规模化生产&经营

规模化的经营及成品加工生产，大幅降低了经营成本，让客户体验质优价廉。

前沿技术研发

一直将技术创新作为企业的活力源泉，华芯永不满于现状，积极推动行业发展。

体系规范的售后支持

各项服务指标均接近国际领先水平，服务质量和客户满意度也随之大幅提升。