江苏南大光电材料股份有限公司 诞生于国家“863”计划,创办于2000年,成长于国家“02-专项”,2012年8月7日在深圳证券交易所创业板挂牌上市(股票代码300346)。二十多年来,公司一直紧跟国家发展战略,围绕前驱体材料(包含MO源)、电子特气和光刻胶三项核心电子材料进行奋斗,并形成三大核心业务布局。公司在江苏苏州、浙江宁波、安徽全椒、山东淄博、内蒙古乌兰察布设立研发生产基地,在北美设立营销技术服务分公司,产品广泛应用于制备IC、LCD、LED、OLED、功率器件、半导体激光器等领域。
依托江苏省企业技术中心、高纯电子材料工程研究中心、高纯金属有机化合物MO源材料工程技术研究中心、博士后科研工作站、外国专家工作室等企业自主创新平台,南大光电持续深耕高纯电子材料领域,圆满完成了国家、省市重大专项36项,其中国家级重大科技攻关16项,参与国家标准制定5项,拥有专利175项,荣获国家级“专精特新”小巨人和制造业“单项冠军”示范企业,在MO源、前驱体、电子特气、光刻胶领域持续攻克“卡脖子”技术,打破封锁,技术水平跻身世界前列。
总部及研发中心
前驱体材料-MO源生产基地(苏州)
前驱体材料生产基地(全椒)
光刻胶生产基地(宁波)
氢类电子特气生产基地(全椒)
氟类电子特气生产基地(淄博)
氟硅电子材料生产基地(乌兰察布)
发展历程
1987-2000
1997年3月 “高纯金属有机化合物(MO源)光电子材料的支撑原材料”课题获国家教委“科 技进步二等奖”。
1997年 南大MO源研究课题组被国家科技部提升为国家级研发中心并命名为“国家‘863计划’新材料MO源研究开发中心”。
1989年 课题开发取得突破性进展,研制出高纯三甲基锑产品
1987年 公司创始人孙祥祯教授的“MO源研究课题”纳入国家“863计划”
2000-2012
2012年8月7日 南大光电在深交所创业板上市。
2003年4月 MO源产品被列为“国家重点新产品”。
2003年 MO源项目被国家计委列为“高技术产业化示范工程光电子专项项目(MO源)”。
2002年7月 高纯金属有机化合物(MO源)获得科技部颁发的“国家级火炬计划项目证书”。
2000年12月28日 12月28日,江苏南大光电材料股份有限公司正式注册成立。
2013-2017
2016年 承担国家“02-专项”ALD金属有机前驱体产品的开发和安全离子注入产品开发项目。
2013年11月26日 全椒南大光电材料有限公司成立。
2013年1月 获国家“02-专项”高纯特种电子气体研发与产业化项目立项支持,启动极大规模集成电路砷烷、磷烷等特种气体的研发工作,用3年时间攻克了国内30年未能解决的课题。
2017-至今
2022年5月10日 南大光电具有自主知识产权的TMA自制产品正式下线并圆满完成首销,一举打破了我国在TMA合成方面的长期空白。
2021年11月15日 南大微电子一期安装工程主体完工。
2021年11月9日 南大光电《电子半导体材料(MO源和离子注入气体)》荣膺2021年 工信部“第六批制造业单项冠军”。
2021年6月28日 南大光电“先进光刻胶产品开发与产业化”项目通过验收。
2021年5月17日 南大光电与乌兰察布市合作建设的内蒙古乌兰察布氟硅电子新材料基地暨南大微电子材料项目开工。
2021年2月9日 乌兰察布南大微电子材料有限公司成立。
2020年4月
· 南大光电成为全国首个电子材料民营企业购置193nm浸没式光刻机,光刻胶产业迈向新阶段。
· 光刻胶第二条生产线建成。
2019年12月 光刻胶第一条生产线建成。
2019年10月 南大光电与宁波经济技术开发区就先进光刻胶原材料及配套材料开发和产业化项目再次签订合作协议。
2019年8月 投资并购山东飞源气体有限公司,进入大宗氟化类电子特气领域。
2019年1月10日 南大光电半导体材料有限公司成立。
2018年8月
· 获得国家“02-专项”ArF光刻胶开发和产业化项目立项。
· 同期,年产170吨MO源和高K三甲基铝项目落地全椒,筹备成立南大光电半导体材料有限公司。
2018年1月 与宁波经济技术开发区签订投资协议,注册成立“宁波南大光电材料有限公司”,负 责“02-专项”ArF光刻胶开发和产业化项目落地实施。
2017年9月
· 获国家“02-专项”193nm 光刻胶及配套材料关键技术的开发项目立项。
· 建成8条ALD/CVD前驱体系列产品生产线,已有部分产品通过知名客户验证并具备批量供货能力。
· 引进高K三甲基铝先进生产线。
2017年6月28日 公司召开2016年度股东大会,选举产生了公司第七届董事会,正式进入“二次创业”期。
企业文化
愿景:建设国际⼀流的电子材料公司
使命:为⽤户提供更安全、绿⾊、经济和⾼品质的电⼦材料
价值观:安全第一,质量第一,踏实做事,以人为本,客户导向,产业报国
荣誉资质
主要产品
前驱体材料
MO源、定制产品、新型硅前驱体、ALD/CVD、OLED材料
电子特气
氢类电子特气、氟类电子特气
光刻胶及配套材料
解决方案
IC、化合物半导体、LED、光伏、FPD、石油化工、电力行业
创新南大
打造具有国际竞争⼒的⾼纯电⼦材料研发创新中⼼
四大核心技术优势
持续攻克“卡脖子”,打破封锁,创造了许多项“中国第一”
中国制造的第一瓶三甲基镓、三甲基铟、三甲基铝、三乙基镓等MO源产品;
第一瓶砷烷、磷烷
第一支193nm ArF光刻胶
科研实力
江苏南⼤光电研发中⼼致⼒于国家急需的关键电⼦材料的研发和产业化,研发⽅向 包括先进光刻胶、特种⽓体、泛半导体材料、原⼦层沉积前驱体及OLED有机新材料等。
实验室
中⼼拥有13500平⽶现代化实验室以及众多先进的研发、分析、测试设备,包括 193nm浸没式光刻机1台、⾼分辨核磁5台、ICP-MS4台、ICP-OES 2台、各种 质谱3台以及进⼝升华仪.蒸镀机、荧光光谱仪.OLED光电测试lVL系统等其他⼤型仪器。
创新平台
国家⾼新技术企业
江苏省⾼纯电⼦材料⼯程研究中⼼
江苏省企业技术中⼼
江苏省⾼纯⾦属有机化合物MO源材料⼯程技术研究中⼼
博⼠后科研⼯作站
江苏省外国专家⼯作室
材料科学姑苏实验室
研发团队
中⼼拥有研发⼈员215⼈,其中外籍专家9⼈,国家级重大人才工程3人,江苏省“双创⼈才”7名,姑苏创新创业领军⾼端⼈才6名。团队中博⼠学位14名,硕⼠学位以上占⽐超过17%。
技术突破
打破封锁
1986年,MO源作为前驱体核心材料纳入国家高技术发展计划。
2000年,南大光电成立,MO源成功实现产业化,成功打破“巴统”和国外公司的技术垄断,并在“神舟”飞船、“东4”大卫星平台系列卫星等航天器的太阳能电池上成功得到运用。
产业提升
产业提升2016 年,承接国家“02-专项”,现已建成具备合成、纯化、分析、封装等功能的ALD前驱体研发中心和生产线,完全满足相关芯片产品的制造要求。
国际领先
2017年11月,引入陶氏化学的高K三甲基铝生产线,2020年10月正式投产,在开发高端半导体的进程中,扮演关键材料供应商的重要市场角色。 2020年12月,跨国并购杜邦集团19项专利资产组,6项技术属于全球首创技术,一举迈入国际领先的前驱体材料企业行列。