浙江驰拓科技有限公司 成立于2016年，专注于新型存储芯片及相关芯片的研发、生产和销售，面向物联网、人工智能、工业控制及汽车电子等领域提供半导体芯片和应用解决方案。公司总部位于杭州临安青山湖科技城，占地50亩，总建筑面积3.4万平米，并设有无锡分公司。

公司拥有先进的新型存储芯片研发与产业化平台，掌握了MRAM设计、制造全套关键技术，成功开发独立式存储芯片和嵌入式IP等系列产品并可提供90/40/28nm多个先进工艺节点下的芯片设计、工艺研发、流片、测试分析等全方位服务。公司坚持以市场为导向，全力打造以新型存储芯片及系统为核心的新型存储器生态圈，推动微电子、纳米科技及信息存储技术的发展，为新型处理器架构创新提供器件和技术支撑。

团队成员中硕博以上学历占比大于40%，建有国家级博士后工作站。其中核心团队由半导体技术和自旋电子学领域的资深管理和技术专家组成，团队专业领域涵盖器件与电路设计、先进制造工艺、器件与芯片测试以及应用开发等，具备存储器的研发和制造能力。

技术简介

MRAM 技术简介

20世纪80年代，法国Albert Fert与德国Peter Grünberg两位科学家在研究磁/非磁纳米多层膜的层间耦合时发现了巨磁阻（Giant Magneto Resistance，GMR）效应，揭示了磁性纳米薄膜结构中电子自旋与电子输运过程的关联及调控方法，孕育了迄今为止容量最大、应用最广泛的现代电脑硬盘，对信息存储领域起到了划时代的推动作用，两位科学家因此获得2007年度诺贝尔物理学奖。

在GMR效应发现后，数据存储产业获得了突飞猛进的发展。1995年变化率更大、更稳定的隧穿磁阻效应（Tunneling Magneto Resistance，TMR）被发现，2002年TMR磁头替代GMR磁头进入市场，使硬盘的记录密度更进一步提升。

除了硬盘，TMR效应也孕育了另一种磁性存储器——磁随机存储器（Magnetic Random Access Memory，MRAM）。Toggle-MRAM是第一代商用MRAM，以电流产生磁场，利用磁场改变自由层磁化状态，实现数据写入功能。它具有无限擦写次数、抗辐射、宽工作温度范围等特性，但难以进一步突破密度和功耗限制。

1996年，Slonczewski和Berger预测了电流自旋转移力矩（Spin Transfer Torque，STT）作用，该效应在1999年被实验室验证。利用电流STT作用，可以制作全电流写入的MRAM，即STT-MRAM。STT-MRAM具有结构简单、存储密度高、功耗低、速度快等优势。2011年日本东北大学展示了垂直磁化的CoFeB/MgO/MgO磁性隧道结（MTJ），基于垂直磁化的MTJ的写入电流具有更好的可微缩性，在先进工艺节点、高密度存储需求中拥有巨大的应用潜力。

目前世界上多家知名半导体巨头如IBM、GlobalFoundries、Samsung、TSMC、UMC、SK Hynix、KIOXIA等和一些专注于MRAM的初创公司均在开展STT-MRAM相关产品技术研发。

eMRAM 技术简介

半导体技术的发展历程可以追溯到上世纪40年代，自晶体管发明以来，集成电路的特征尺寸已经从微米级别进入纳米级别。随着摩尔定律的演进，晶体管先后经历了平面结构、Fin场效应晶体管（FinFET）和环绕式栅极晶体管(Gate-All-Around）等阶段，其密度、性能和能效不断提高。  

嵌入式存储是逻辑制程中不可或缺的一环。其中，嵌入式闪存（eFlash）作为一种主流的非易失性嵌入式存储技术，在40纳米及以上的成熟工艺中占据主导地位。然而，随着工艺节点的不断演进，eFlash通过浮栅吸附/脱附电子实现数据存储的物理机制限制了其微缩极限。业界普遍认为，28/22纳米将是eFlash具有成本效益的最后一个工艺节点，因此开始持续研发新型嵌入式非易失存储技术，如eMRAM和eRRAM等。  

新型嵌入式非易失存储技术一般基于逻辑工艺的互联层（BEOL），具备良好的前后段兼容性，可延展至28纳米及更先进工艺节点，且性能更具有竞争力，如下图。

HIKSTOR eMRAM 产品特点

HIKSTOR嵌入式磁随机存储器（Embedded Magnetic Random Access Memory，简称eMRAM）是基于STT效应的第三代磁性随机存储技术，与第一代Toggle MRAM和第二代采用面内磁化磁隧道结（in-plane Magnetic Tunnel Junction,简称iMTJ）的MRAM相比，其采用了垂直磁化磁隧道结作为存储单元（perpendicular Magnetic Tunnel Junction,简称pMTJ），更具可拓展性，可实现更高的密度、更少的功耗、更低的成本。

HIKSTOR eMRAM相较传统嵌入式存储有着显著的性能优势：包括超快的写入速度 (约20ns)；极高的擦写次数 (高至1012)；极久的数据保持时间（20年85℃）；可在逻辑Vcc供电且无电荷泵的情况下进行写操作(写电压约2V，eFlash约10V)等。同时HIKSTOR eMRAM与逻辑工艺有着优良的兼容性，可延展至28纳米及以下先进工艺节点，且额外光罩数量仅3~5层。另外HIKSTOR eMRAM可根据不同需求进行个性化定制，来满足高性能、高可靠等一系列应用场景的需求，提供嵌入式解决方案。

主要产品

串行接口系列存储芯片

并行接口系列存储芯片

典型应用

工业控制

汽车电子

企业存储