广东仁懋电子有限公司 创始于2011年,是国内知名的半导体封装测试高新技术企业,国家级专精特新“小巨人”企业,致力于为全球电子制造企业提供优质半导体元器件产品。发展至今,仁懋电子拥有两大生产基地:珠三角深圳厂及长三角江苏盐城,建筑面积为40000平方米,目前封装测试车间面积为20000平米,主要封装形式为SOT、TO系列、PDFN产品封装。随着公司的投入和工艺技术不断优化,品质稳步提升,先后与业界知名企业建立战略合作关系,已发展成为全国颇具竞争力的功率器件封测企业。

仁懋电子目前公司员工总共500余人,其中研发人员100余人。公司成立以来即专注于MOSFET、IGBT等半导体芯片和功率器件的研发、设计、生产及销售,产品优质且系列齐全,涵盖了主流的集成电路的系统应用。主营产品:肖特基二极管、三极管、低中高压MOS、快恢复二极管、低压降肖特基、IGBT等,广泛应用于消费电子、汽车电子、工业电子、新能源汽车及充电桩、智能装备制造、轨道交通、光伏新能源、5G等领域。

仁懋电子坚持自主研发制造,打破国外技术壁垒,助推碳化硅汽车芯片的国产化,目前,公司已申请/获得专利近百余项形成立体的知识产权保护体系,创立自主品牌MOT,同时引进国际一流的高端设备,自动化程度高,保证了产品的稳定性,半导体器件封装和测试生产线具世界先进水平,为现代化大生产提供了坚实基础。

仁懋电子广聚人才,以院士、博士等行业领军人才为核心,将进一步依托技术、品牌、渠道等综合优势,开拓国际先进功率器件封装制造技术,全力推进高端功率MOSFET、IGBT、集成功率器件的研发与产业化,持续布局半导体功率器件先进前沿的技术领域,提升公司核心产品竞争力和市场地位,深化产品的全面国产化,开拓创新,提供高质量产品,为我们的客户开发节能可持续的解决方案。仁懋电子建立了高效的供应链管理流程,每年的出货量均能超过百亿只,满足了市场以及客户的严苛要求。

企业文化

企业愿景

用专业缔造光辉的百年企业

企业使命

为世界科技进程而不懈努力

企业价值观

提供优质产品证明企业存在的价值

发展历程

2011  创始于南京，南京仁懋电子；

2016  落户深圳创新研发、生产，注册商标MOT；

2018  申请/获得国内国际7项专利

2019  国家高新技术企业；荣获13项软件著作权；

2020  广东省专精特新企业

2021  成立江苏芯组合；注册商标仁懋；申请15项发明专利；

2022  注册商标INZOOM；长三角洲基地投资建厂；

2023  启动全球战略布局；获得国家级专精特新小巨人企业认定；广东省第三代半导体功率器件封测工程技术研究中心；

2024  科学技术成果评价证书；氮化镓功率器件技术研发及产业化。

主要产品

功率MOSFET

高压平面MOS，高压SJ COOL MOS，中低压SGT MOS-TOLL，中低压Trench SGT MOS

功率二极管

平面肖特基二极管，沟槽肖特基二极管，快恢复二极管

小信号晶体管&二极管

小信号开关二极管，小信号三极管，小信号MOS，小信号肖特基二极管产品

SiC & GaN

氮化镓MOS，碳化硅二极管

功率三极管

大功率三极管，音响对管

稳压二极管

稳压二极管

IC

电压基准IC，BMS保护IC，充电管理IC，运放IC，非隔离IC

应用领域

电源，工业，新能源，家电，消费电子

品质技术

品质文件

2024-09-19  ZXEC23002518401 REACH 英文

2024-09-19  ZXEC24001407501(SZP24-019410)-Final

2024-09-19  境管理体系认证证书

2024-09-19  业健康安全管理认证证书

2024-09-19 知识产权管理体系证书 中英文

2024-09-19 质量管理体系认证证书

可靠性测试

2024-10-31 可靠性试验信息

2024-10-31 RT2024040101-MOT8156T可靠性实验报告

2024-10-31 RT2023100401-MOT5N50F-可靠性实验报告

2024-10-31 RT2023090101-MOT7N65D可靠性实验报告

2024-10-31 RT2023040101-MOT3136G可靠性实验报告