安徽长飞先进半导体股份有限公司 是一家专注于碳化硅（SiC）功率半导体产品研发及制造的企业，具备从外延生长、器件与模块设计、晶圆制造到模块封测的全产业链能力。公司拥有国内一流的6英寸产线设备和先进的配套系统，可提供从工业级到车规级的SiC SBD、MOSFET全系列产品，广泛覆盖新能源汽车、光伏、储能、充电桩、电力电网等领域。

产品与服务

拥有国内一流的6英寸产线设备和先进的配套系统

自研产品

以碳化硅为代表的第三代半导体材料，具有电子饱和速率高、禁带宽度大、击穿场强高、热导率高等特点。与第一代硅器件相比，碳化硅器件具有开关损耗小、工作结温高、导热能力强等优势。因此，采用碳化硅器件的电力电子变换器，可以显著提高工作开关频率，减小储能、滤波器和散热器的体积，实现更高的系统效率和功率密度。长飞先进拥有完备的碳化硅系列产品，包括分立式SiC肖特基二极管（SBD）、分立式SiC MOSFET、SiC 功率模块、SiC MOSFET裸芯片、SiC 肖特基二极管裸芯片，能涵盖电动汽车，工业电源、光伏逆变器、储能系统、风力发电、轨道交通、柔性输电等领域。

产品：SiC外延片，分立式SiC肖特基二极管，分立式SiC MOSFET，SiC MOSFET裸芯片，SiC肖特基二极管裸芯片，SiC功率模块

代工服务

晶圆代工：长飞先进拥有先进的SiC晶圆工艺生产和检测设备，完善的工艺流程和完整的工艺平台，涵盖SiC外延和器件，能够提供全面的工艺开发与技术解决方案，同时可以根据客户的需求，提供一站式代工流片服务。

封装代工：长飞先进封装代工业务拥有高精度、高自动化产线，同时还拥有一流的生产作业平台，能提供从设计到开发一站式服务，满足客户各种定制需求。

生产制造

长飞先进拥有国内一流的6英寸产线设备和先进的配套系统，具备42万片晶圆及外延/年产能规模。其中，芜湖基地年产6万片6英寸SiC MOSFET外延及晶圆、640万个功率模块、1800万个功率单管；武汉基地可年产36万片6英寸SiC MOSFET外延及晶圆、6100万个功率模块。

莫桑实验室

莫桑实验室是一个集科研、测试与分析于一体的综合性实验室，专注于宽禁带半导体SiC材料的研究与产业化应用，以及产品可靠性、失效分析、特性测试与应用测试等多个领域。实验室下设多个专业实验室，包括材料实验室、化学分析实验室、可靠性实验室、失效分析实验室、产品特性实验室和产品应用实验室。莫桑实验室凭借其专业的科研团队、先进的实验设备和完善的服务体系，致力于推动相关产业的技术进步与产业升级。

材料实验室，化学分析实验室，可靠性实验室，失效分析实验室，产品特性实验室，产品应用实验室

应用领域

工业应用

作为第三代宽禁带半导体的代表，SiC器件在禁带宽度、电子饱和速率、击穿电场、热导率等关键性能参数上具有明显优势，可满足工业领域中高频高压、高功率的需求，能进一步提高电能的转换效率、实现系统的小型化和轻量化。根据研究报告，在光伏发电中使用SiC器件，系统的效率可提升至99%，能耗可降低40%以上，循环寿命可提升50倍。因此，SiC器件在光伏储能系统、轨道交通、智能电网等工业领域具有非常广阔的市场空间与发展前景。

应用场景：光伏逆变器，储能系统，工业电源（不间断电源，服务器电源），充电桩，轨道交通，柔性电网，风电，工业电机驱动

车载应用

在日益严格的碳排放标准下，新能源汽车的需求在全球普及加速，取代燃油车成为必然趋势。目前电动汽车主要采用硅基器件，但其存在拖尾电流，无法提高开关频率，且在高压及高速开关下的损耗大幅增加，功率密度无法提升，整车体积和重量无法减小。SiC器件具有高禁带宽度、高饱和速率、高热导率的特点，可实现高速开关，整体损耗比Si基器件减小50%以上，有助于增加电动车的续航里程，满足800V高电压需求，实现系统的轻量化，解决电动车的三大需求痛点。功率器件在车载上的应用主要包括主驱逆变器、车载充电器、DC/DC转换器等，有较广的使用场景， 故SiC器件有望在新能源汽车的高速发展下大规模普及应用。

应用场景：OBC，DC/DC变换器，主驱逆变器，辅助逆变器