凭借先进的纳米技术，迈向可持续发展的未来

作为全球半导体行业的知名企业，韩国 Samsung Semiconductor 三星半导体 为移动通信、服务器、汽车及人工智能等诸多领域提供核心技术。通过与合作伙伴的协同创新，推动高新技术发展，共同开创更美好的生活与可持续的未来。

我们的故事

于无形之中，改变世界，我们是三星半导体

智能手机、电视、电动汽车、AI助手——您日常生活中每一次数字体验的背后，都有我们的技术支撑。

我们致力于创造连接大众生活、使其更便捷、更智能的技术。

这，就是三星半导体，我们的技术虽隐于无形，但与您时刻相伴。

初创入局

自1974年迈出第一步以来，我们的发展步伐改变了全球存储器市场的格局，系统半导体（System LSI）和晶圆代工（Foundry）领域也在全球逐渐具备领导力。

创造未来

为使AI技术得以快速、高效、精准地处理海量数据，我们提供的定制化半导体解决方案，正引领着科技的未来发展。

阔步向前

我们以全球规模最大的半导体生产基地——平泽园区为中心，在全球范围内同步运营着诸如器兴研发中心，龙仁半导体产业集群等众多研究所与生产基地，并持续投入基础设施，打造新时代的引擎。

美好明天

我们始终心系人类福祉，不断探索创新技术。积极践行环保制造、采用可再生能源、构建可持续供应链，并投身于有益社会的实践。我们始终默默耕耘，只为成就更好的未来。

业务范围

三星半导体在存储器、系统半导体和晶圆代工（Foundry）领域驱动技术革新。我们的存储事业部凭借全球领先的存储半导体技术，加速产业数字化转型；系统LSI事业部为运算处理、通信、电源管理及安全等多种应用设计优化核心芯片；晶圆代工事业部则通过尖端制程技术与深度合作，助力客户实现技术飞跃。

我们的辉煌历程

纵观公司历史，从艰难起步到全球半导体巨擘，我们一直秉持着对创新的不懈追求

1975 开始为 发光二极管 (LED) 手表大量生产 集成电路 (IC)

1988 开发 4Mb DRAM

1998 开始发布业界先进的 128Mb 闪存,美国奥斯汀工厂开始生产 (SAS),于1990-1999 占据世界舞台中心

2009 开始大规模生产业界先进的 40 纳米级 2Gb DRAM

2015 开始量产基于 EUV 的 7 纳米 LPP

2016 推出汽车解决方案品牌 Exynos Auto 和 ISOCELL Auto

2017 开始量产第 5 代 V-NAND 及开发行业第一款 8Gb LPDDR5；开发三星的第一款 5G 调制解调器（Exynos 调制解调器 5100）；

2018 于韩国华城建立 EUV 生产线及中国西安建立第二条内存生产线

2010-最近

突破极限，改变未来

我们不断突破极限，推动行业变革，现已蓄势待发，准备实现下一次的飞跃

2010 32nm高介电金属闸极(HKMG: High-K Metal Gate)工艺研发成功；20nm级NAND闪存量产；

2011 30纳米级4Gb移动DRAM量产;推出品牌应用处理器Exynos;

2013 3D垂直NAND(V-NAND)存储器开始量产；推出移动 AP Exynos 5 Octa，内置big.LITTLE™ 处理器架构；

2014 20纳米级8Gb移动DRAM(LPDDR4)开始量产；中国西安工厂(SCS)开始投入生产；

2015 第17号生产线开始投入生产；14纳米鳍式场效应晶体管移动应用处理器(AP)开始量产；

2016 10纳米鳍式场效应晶体管系统级芯片(SoC)量产；10纳米级DRAM量产；

核心技术

移动端光线追踪，端侧AI，像素技术，超高分辨率传感器，高动态范围技术，内存

主要产品

DRAM，固态硬盘，嵌入式存储，CXL 存储器，多制层封装芯片，处理器，图像传感器，显示芯片，安全解决方案，电源管理芯片，LED，显示

消费级存储产品

SSD 固态硬盘，PSSD 移动固态硬盘，存储卡，USB 闪存盘，游戏固态硬盘

应用领域

人工智能，服务器，汽车，5G & 互联，移动通信端，电脑和游戏，生活方式

晶圆代工（Foundry）

晶圆代工，工艺技术，先进封装，SAFE™，Foundry Events，制造，特定应用服务，技术档案，US Fab

中国业务

三星（中国）半导体有限公司