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Skysemi 思开半导体产品系列：Trench Mos、SGT Mos、IGBT、Sic、Gan、Super Junction。 主要产品MOSFET，IGBT，SiC/GaN，Analog IC，Super Juction应用领域Industry，BMS，New Energy，BLDC，Power，Automobile
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Xinergy 芯达茂微电子2019年公司首款隔离式栅极驱动IC面世；2020年IGBT单管、模块顺利量产；2021年GaN MOSFET、SiC MOSFET器件正式上市；2022年荣获国家级高新技术企业认定；2023年车规级IGBT 主要产品IGBT单管，SiC MOSFET，VD MOSFET，SJ MOSFET，SGT MOSFET，PIM，IPM应用方案直流变频落地扇及空清机马达解决方案直流变频空调马达解决方案
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Sirius 天狼芯半导体公司主要产品有车规级MOSFET、IGBT/FRD、GaN器件、SiC器件等等，主要应用于汽车电子、工业控制、光伏/储能、充电桩、工业电源等市场。 200A的IGBT芯片和各式电压电流的大功率IGBT模块；在SiC领域，公司成功开发出1200V/100A的SiC二极管，在世界领先，同时在1200VSiCMOSFET推出20/40/60/80mΩ产品；在GaN 产品类别IGBT,MOSFET,SiCDiode,SiCMOSFET产品应用电脑及周边,工业电子,消费电子,手机与通讯,物联网IoT
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Din-Tek Semiconductor 鼎日企业目的我们的目标是将最先进的MOSFET设计技术应用于各种电子设备中，以提高其性能、效率和可靠性。为此，我们致力于不断研发新的MOSFET设计技术，以满足客户日益增长的需求。 我们的产品线包括各种类型的MOSFET，如增强型MOSFET、耗尽型MOSFET等，能够满足不同行业和应用的需求。 在电力电子领域，我们的MOSFET被广泛应用于电源管理、电机驱动、可再生能源等领域。在汽车电子领域，我们的MOSFET被用于车载充电器、电池管理系统等应用中。 GaN FETGaN（氮化镓）是一种用于下一代功率器件的化合物半导体材料。由于其比硅器件更高的开关特性和更低的导通电阻，GaN器件有望有助于降低功耗和各种电源的小型化以及外围组件的小型化。 SiC MOSFET650V SiC MOSFET,1200V SiC MOSFET与传统的硅器件相比，碳化硅（SiC）器件由于拥有低导通电阻特性以及出色的高温、高频和高压性能，已经成为下一代低损耗半导体可行的候选器件
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ASDsemi 安森德安森德（ASDsemi）致力于为全球客户提供半导体功率器件和模拟IC，产品覆盖功率器件：中低压 、高压、超结MOSFET，第三代半导体SiC、GaN；模拟芯片：电源管理芯片、信号链芯片；SiP系统级芯片三大类产品线 南科大联合实验室成立2022年 首个SiP产品正式量产2021年 进入立讯、辰阳、台德等客户AVL，出货超2亿只2020年 出货超5000万只质量体系认证和国家高新科技企业认证2019年 DC-DCIC正式流片；GaN MOS正式流片；SJ MOS正式流片；LDO 正式流片2018年 ASDsemi品牌成立产品；小批量试用于立讯的ODM客户和小米等品牌2017年 中低压MOSFET设计；和流片，验证荣誉资质主要产品MOSFET ；模拟IC；SIP产品应用行业能源电源：安森德超结MOSFET具有低导通损耗、低开关损耗、高开关速度等优点，在能源电源中发挥着重要作用。 随着半导体工艺的不断发展，超结MOSFET的导通损耗和开关损耗将进一步降低，为各种电源设备带来更高的效率和更低的能源消耗。
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深圳倾佳深圳市倾佳电子有限公司-专业功率半导体(IGBT单管，IGBT模块，碳化硅SiC-MOSFET，氮化镓GaN)以及新能源汽车连接器分销商，致力于服务中国工业电源及新能源汽车制造商。 近年来，倾佳电子-着力推广国产碳化硅SiC功率器件，国产SiC-MOSFET，国产SiC-MOSFET功率模块，国产氮化镓GaN HEMT以及配套的隔离驱动IC，自举驱动IC,不断在高压汽车电驱系统、高压快充桩
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华燊泰科技氮化镓（GaN）是一种宽带隙半导体材料。 随着人们对快充需求的不断增加，使用GaN功率器件，可以使充电器更轻巧。未来，GaN充电器市场即将迎来快速成长期，将越来越发挥它的作用。 碳化硅1200V MOSFET平台，持续支持电动汽车向800V高压平台的转型。 与传统硅器件相比，华燊泰科技的碳化硅 MOSFET 和二极管具有更高的性能和更低的损耗，同时允许能源系统工程师设计出更轻便的系统，降低整体系统尺寸和成本。 华燊泰科技的碳化硅 MOSFET 和二极管可减少能源损耗，缩减系统尺寸，并且提供更高的功率密度。
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Innoscience 英诺赛科科技有限公司 是一家致力于第三代半导体硅基氮化镓外延及器件研发与制造的高新技术企业，采用IDM（Integrated Device Manufacture）全产业链模式，建立了全球首条产能最大的8英寸 GaN-on-Si 公司核心技术团队由众多资深的国际一流半导体专家组成，我们相信GaN可以改变世界，我们的目标是以更低的价格，向客户提供品质一流、可靠性优异的GaN器件，并且实现GaN技术在市场的广泛应用。 英诺赛科（Innoscience）创立于2015年12月17日，旨在打造全球最大的采用全产业链模式，集设计、研发、生产和销售为一体氮化镓（GaN ）的生产基地。 因此，Innoscience 明白，只有扩大 GaN 器件的产能并拥有自主可控的生产线，才有可能解决氮化镓功率电子器件在市场上进行大规模推广的三个痛点（价格、数量和供应安全）。 产品类别GaN MOSFET , Transistor产品应用车用电子 , 工业电子 , 消费电子
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Everlight 亿光电子Driver，Photo Power Triac Driver，Solid State Relay，IGBT Gate Driver功率半导体（Semi-Power Device）SiC SBD，SiC MOSFET ，GaN，Si MOSFET应用领域照明General Lighting，Growth Lighting，UV Appliance，Agriculture Lighting，Module Application
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Runxin 润新微电子(GaN) 功率器件技术成熟度高栅压安全区间大类MOS，应用简单易实现市场化氮化镓 (GaN) 器件应用与硅驱动方案兼容更高的电压，更好的导电能力更小的体积，更好的温度控制更高的效率，更低的能耗抗辐照等特殊应用氮化镓 (GaN) 功率器件氮化镓 (GaN) 功率器件润新微电子提供具有更高性价比、稳定可靠的氮化镓产品，致力于推动电能转换革命！ 技术成熟度高栅压安全区间大类MOS，应用简单易实现市场化高效率；可靠；服务氮化镓 (GaN) 器件应用氮化镓（GaN）器件应用润新微电子提供具有更高性价比、稳定可靠的氮化镓产品，致力于推动电能转换革命！ 与硅驱动方案兼容更高的电压，更好的导电能力更小的体积，更好的温度控制更高的效率，更低的能耗抗辐照等特殊应用高效率；温度控制；小尺寸；轻巧Cascode结构特点具有与MOSFET相同的栅极额定电压，可以使用传统 MOSFET驱动器抗扰性强，不需要过多注意避免栅极过冲关断不需要负压消费类电子GaN功率器件PD充电器特点GaN功率管开关损耗小，整机效率高GaN驱动频率高，整机体积减少，功率密度提高工业电子无整流桥，
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大联大品佳集团推出基于Infineon产品的140W电源适配器方案2023-09-08
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大联大品佳集团推出基于Infineon产品的140W电源适配器方案2023-09-05
