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南通华隆微公司是在国内封装测试行业从事几十年的业务技术及管理骨干的基础上组建的，对半导体封装测试的技术具备较强的工艺技术及管理优势。 目前从事封装测试的产品有：功率晶体管、MOSFET、肖特基二极管、稳压电路（78系列）及霍尔IC、霍尔传感器等产品，产品外形主要有T092S、T094、T0251、TO-263、TO-3P、TO-247 、T0126系列、T0220系列等，主要经营思路是与国内外知名的品牌配套封装测试，形成共同发展的产业链。
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Maplesemi 美浦森半导体公司产品线包括：高中低压全系列（Trench/SGT MOSFET、超结MOSFET、Planar MOSFET）、碳化硅系列（SiCDiode/MOSFET）、IGBT系列（单管/模块），其广泛应用于 专业于MOSFET器件领域的拓展，运用创新的电路设计和国际同步的研发技术，成功研发出新一代MOSFET系列产品，产品相关性能达到行业领先水平。 本实验室拥有国内部外先进的仪器设备100余台，目前具备Diode/MOSFET/SiC/IGBT等功率器件单管及模块的全参数测试能力，同时为了提高自身产品可靠性和质量，不断完善AEC-Q101的可靠性评估和失效分析能力 先进设备器件测试实验室该实验室配备国内外高精度的参数测试相关的仪器设备，可提供Diode/MOSFET/SiC/IGBT等功率器件单管及模块的全参数测试，包括但不仅限于静态测试、动态测试、热阻测试，ESD 等项目，为产品研发、生产确认和产品规格书测试等提供可靠准确的测试数据。
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LONTEN 龙腾半导体公司将技术创新视为企业发展的第一驱动力，拥有百余项核心技术专利；制定超结功率MOSFET国家行业标准（标准号SJ/T 9014.8.2-2018）；运营校企联合新型研发平台（交大-龙腾先进功率半导体技术研究院 公司建有一流的器件测试实验室及产品可靠性工程中心，并专注提供高效、可靠、安全的功率器件及高性价比的系统解决方案。 公司已形成高压超结功率MOSFET、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）、屏蔽栅沟槽型（SGT）功率MOSFET、低压沟槽型功率MOSFET、高压平面功率MOSFET及功率模块等完整的功率器件产品系列。
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CTC 沛渝沛伦科技(深圳)有限公司 成立于1985年，创立CT自有品牌以各系列之Rectifier Diode为主力产品，从晶圆设计开发 >封装制造 >成品测试 >产品销售结合于一体；工厂座落于山东淄博 AUK(高压MOSFET，BJT ..) ， SEMIHOW(高压MOSFET) 尼克松 (Niko-semi 低压MOSFET ) ， MEGAWIN(MCU，LED DRIVER)…等
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GP（GreenPower）格瑞宝基本信息：注册资本 1000万元人民币 注册地址 中国-上海-张江高科主营业务：功率器件研发、销售；功率器件解决方案、集成电路设计、集成电路测试核心产品：功率分立器件（主营MOSFET） 通用IC（LDO 技术水平：国内领先的SGT MOST工艺 坚持自主研发公司资质：高新技术企业主要产品二极管 TVS，肖特基二极管，稳压二极管，整流二极管，开关二极管，大功率TVS，快恢复二极管三极管 晶体管数字晶体管，MOSFET MOSFETN Channel MOSFET，P Channel MOSFET，Multi Channel MOSFET，SGT Channel MOSFET，VDMOS，Super Junction
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NCEPOWER 新功率 / 新洁能公司是专业化垂直分工厂商，芯片由公司设计方案后交由芯片代工企业进行代工生产，封装成品由公司委托外部封装测试企业对芯片进行封装测试而成。 公司注册资本27000万元，占地15272平方米，建筑面积为21467平方米，目前封装测试车间面积为8000平米，主要封装形式为SOT、TO系列、DFN产品封装。 公司专注于高性能、高可靠性功率半导体分立器件和多芯片电源管理器件的封装和测试，主营业务为电力电子元器件、集成电路及半导体模块产品的设计、制造和销售。 公司具有当前世界先进水平的半导体器件封装和测试生产线，主力设备全部从美国、日本、新加坡等国进口，自动化程度高，保证了产品的稳定性，为现代化大生产提供了坚实基础。 及超结功率MOSFET的企业之一，是国内提前早在12英寸工艺平台实现沟槽型MOSFET、屏蔽栅MOSFET量产的企业。
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SICHAIN 清纯半导体公司成立一年来，技术与产品发展迅速，目前已突破国产SiC功率器件设计及大规模制造瓶颈，在极短时间内先后开发出自主知识产权的SiC二极管及 Mosfet器件产品，产品先后通过车规级可靠性测试，是目前国内唯一能够在 SiC器件核心性能和可靠性方面达到国际一流水平、并且基于国内产线量产SiC Mosfet的企业。
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NOYUSEM 蓉矽半导体蓉矽拥有一支掌握碳化硅核心技术的国际化团队，整合台湾与欧洲先进碳化硅制造工艺平台，结合大陆封测和应用解决方案，建立了材料、外延、晶圆制造与封装测试均符合IATF 16949质量管理标准的完整供应链，独立自主开发世界一流水平的车规级碳化硅器件 Rectifier）及FRMOS（Fast Recovery MOSFET)。 发展历程2024年第二代车规级SiC MOSFET正式发布；蓉矽半导体第二代NovuSic® 1200V 20mΩ SiC MOSFET正式发布通过AEC-Q101车规级可靠性认证；蓉矽半导体碳化硅 (G1)量产；SiC MOSFET(G1)1200V/75mΩ 正式量产SiC MOSFET(G1)开发成功1200V/75mΩ SiC MOSFET 第一次工程流片即达91.2%良率天使轮融资完成；进行 在全国范围内率先投资引入国际先进WLTBI (Wafer-Level Test & Burn-in) 测试系统，确保碳化硅晶圆出厂质量与可靠性达到行业最高标准。
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ASDsemi 安森德安森德（ASDsemi）在芯片设计、制造、测试、封装等方面有着丰富的行业经验，核心技术自主可控，拥有多项自主知识产权及发明专利。 设计；和流片，验证荣誉资质主要产品MOSFET；模拟IC；SIP产品应用行业能源电源：安森德超结MOSFET具有低导通损耗、低开关损耗、高开关速度等优点，在能源电源中发挥着重要作用。 随着半导体工艺的不断发展，超结MOSFET的导通损耗和开关损耗将进一步降低，为各种电源设备带来更高的效率和更低的能源消耗。 车载OBC；电动助力转向；新能源汽车充电桩智能家居：安森德全系列MOSFET产品，功能齐全，性能稳定，可提供全面的家用电器解决方案组合，使开发者更轻松的满足不同应用中的技术需求。 小家电；LED电源电机驱动：安森德全系列MOSFET产品，功能齐全，性能稳定，是室内和室外无线电动工具以及电机驱动多场景差异化条件下应用的理想选择。两轮电动车；电动工具；直流风扇
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YASC 长飞先进公司拥有国内一流的6英寸产线设备和先进的配套系统，可提供从工业级到车规级的SiC SBD、MOSFET全系列产品，广泛覆盖新能源汽车、光伏、储能、充电桩、电力电网等领域。 长飞先进拥有完备的碳化硅系列产品，包括分立式SiC肖特基二极管（SBD）、分立式SiC MOSFET、SiC 功率模块、SiC MOSFET裸芯片、SiC 肖特基二极管裸芯片，能涵盖电动汽车，工业电源、 产品：SiC外延片，分立式SiC肖特基二极管，分立式SiC MOSFET，SiC MOSFET裸芯片，SiC肖特基二极管裸芯片，SiC功率模块代工服务晶圆代工：长飞先进拥有先进的SiC晶圆工艺生产和检测设备 其中，芜湖基地年产6万片6英寸SiC MOSFET外延及晶圆、640万个功率模块、1800万个功率单管；武汉基地可年产36万片6英寸SiC MOSFET外延及晶圆、6100万个功率模块。 莫桑实验室莫桑实验室是一个集科研、测试与分析于一体的综合性实验室，专注于宽禁带半导体SiC材料的研究与产业化应用，以及产品可靠性、失效分析、特性测试与应用测试等多个领域。
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吉时利Keithley 4200-SCS参数分析仪2023-09-20
