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ARKmicro 方舟微电子(ARK) 成都方舟微电子有限公司成立于2008年，是国内唯一专注耗尽型MOSFET设计的公司。 专业从事功率器件的研发、制造与销售，并提供电源管理、电路保护解决方案，ARK可根据客户需求，提供高端定制开发。公司专注于技术创新和应用创新，是以应用为导向不断提升技术水平的行业领军者。 产品以集成控制的方式提供具有出众的功率处理和电源管理能力，自主研发的耗尽型MOSFET、特殊型增强型MOSFET、高压集成稳压器、过流过压保护器、无源瞬态抑制器、集成功率器件、光继电器、超高压保护模块等系列产品大量用于快充 自主研发的DMMOS®系列产品，BVDSX从60V-1200V；RDS(ON)从0.08Ω-700Ω，覆盖全系列耗尽型MOSFET。 ARK（方舟微）用于工控、汽车电子、物联网等领域的DMX（S）1072、DMX（S）4022E、DMZ1511E、DMD4523E等系列产品，以更优的特性代替传统电路中的JFET器件，特别适合对高电压、
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MOT 仁懋电子随着公司的投入和工艺技术不断优化,品质稳步提升,先后与业界知名企业建立战略合作关系,已发展成为全国颇具竞争力的功率器件封测企业。仁懋电子目前公司员工总共500余人,其中研发人员100余人。 公司成立以来即专注于MOSFET、IGBT等半导体芯片和功率器件的研发、设计、生产及销售,产品优质且系列齐全,涵盖了主流的集成电路的系统应用。 仁懋电子广聚人才,以院士、博士等行业领军人才为核心,将进一步依托技术、品牌、渠道等综合优势,开拓国际先进功率器件封装制造技术,全力推进高端功率MOSFET、IGBT、集成功率器件的研发与产业化,持续布局半导体功率器件先进前沿的技术领域 ；2024 科学技术成果评价证书；氮化镓功率器件技术研发及产业化。 主要产品功率MOSFET高压平面MOS，高压SJ COOL MOS，中低压SGT MOS-TOLL，中低压Trench SGT MOS功率二极管平面肖特基二极管，沟槽肖特基二极管，快恢复二极管小信号晶体管
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PEAKSEMI 上海浦峦公司主要从事IGBT、MOSFET、 SiC等功率半导体芯片与器件的设计、制造和销售，并提供相关的应用解决方案。总部设在上海，上海为芯片设计中心，湖北襄阳拥有封测产线，深圳设有销售办事处。 公司研发团队拥有十余年功率半导体芯片研发和制造经验，率先实现国产IGBT芯片量产；拥有国际领先的IGBT，MOSFET及SiC等功率半导体芯片的设计和工艺技术，是少数掌握晶圆制成工艺、悬浮压接封装技术、 可提供TO-247/247-P/247-4/T-Pack等多种封装的分立器件，及相关全SiC模块。 核心参数达到国际先进产品性能，满足大部分应用，广泛应用于逆变焊机、变频器、感应加热、大功率电源、UPS、新能源汽车、光伏/风力发电、电网SVG等领域。 公司在总部襄阳中心建有国内领先的功率器件测试、应用及可靠性试验室，拥有空洞检查、推拉力检查、功率循环、温度冲击等检查和试验手段，保证了产品的品质；封装线于2015年建成，16年投产，获得国际铁路行业标准
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LONTEN 龙腾半导体龙腾半导体股份有限公司 是一家致力于新型功率半导体器件研发、生产、销售和服务的高新技术企业。 公司将技术创新视为企业发展的第一驱动力，拥有百余项核心技术专利；制定超结功率MOSFET国家行业标准（标准号SJ/T 9014.8.2-2018）；运营校企联合新型研发平台（交大-龙腾先进功率半导体技术研究院 公司建有一流的器件测试实验室及产品可靠性工程中心，并专注提供高效、可靠、安全的功率器件及高性价比的系统解决方案。 公司已形成高压超结功率MOSFET、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）、屏蔽栅沟槽型（SGT）功率MOSFET、低压沟槽型功率MOSFET、高压平面功率MOSFET及功率模块等完整的功率器件产品系列。
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Convert 锴威特公司专注于智能功率半导体器件与功率集成芯片设计、研发和销售。总部位于张家港市经济技术开发区，设有西安子公司，无锡及深圳分公司。 自设立以来，公司以“自主创芯，助力核心芯片国产化”为发展理念，“服务零缺陷”为质量目标，聚焦功率半导体产业方向，采取功率器件与功率IC双轮驱动策略，将公司打造成高品质，高可靠的功率半导体供应商，凭借产品可靠性高 、参数一致性好等特点，公司迅速在细分领域打开市场，产品广泛应用于消费电子、工业控制及高可靠领域，现已形成包括平面MOSFET、快恢复高压MOSFET（FRMOS）、SiC功率器件、智能功率IC等近700 获奖产品覆盖公司平面MOSFET、集成快恢复高压MOSFET、SiC功率器件等产品门类。 公司是国家高新技术企业、江苏省“科技小巨人企业”、“江苏省潜在独角兽企业”、江苏省半导体行业协会理事单位，公司研发中心获“江苏省高可靠性功率器件工程技术研究中心”认证。
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GP（GreenPower）格瑞宝GP致力于为国内外客户提供一流的产品与服务，坚持自有IP， 不断奋进，努力成为专业的国产功率半导体品牌！ 基本信息：注册资本 1000万元人民币 注册地址 中国-上海-张江高科主营业务：功率器件研发、销售；功率器件解决方案、集成电路设计、集成电路测试核心产品：功率分立器件（主营MOSFET） 通用IC（LDO ,DC-DC等）技术水平：国内领先的SGT MOST工艺 坚持自主研发公司资质：高新技术企业主要产品二极管 TVS，肖特基二极管，稳压二极管，整流二极管，开关二极管，大功率TVS，快恢复二极管三极管 晶体管数字晶体管 ，MOSFET MOSFETN Channel MOSFET，P Channel MOSFET，Multi Channel MOSFET，SGT Channel MOSFET，VDMOS，Super Junction
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NCEPOWER 新功率 / 新洁能公司的主营业务为MOSFET、IGBT等半导体芯片和功率器件的研发、设计及销售，公司销售的产品按照是否封装可以分为芯片和封装成品。 公司为国内MOSFET等半导体功率器件设计领域领军企业，2016年以来连续五年名列“中国半导体功率器件十强企业”。 MOSFET及超结功率MOSFET的企业之一，是国内提前早在12英寸工艺平台实现沟槽型MOSFET、屏蔽栅MOSFET量产的企业。 公司产品电压已经覆盖了12V~1700V的全系列产品、达1700余种，为国内MOSFET等功率器件市场占有率排名前列的本土企业。 公司将进一步依托技术、品牌、渠道等综合优势，结合大尺寸晶圆芯片（8英寸、12英寸）先进工艺技术，开拓国际先进功率器件封装制造技术，全力推进高端功率MOSFET、IGBT、集成功率器件的研发与产业化，持续布局半导体功率器件先进前沿的技术领域
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RZC 瑞之辰科技深圳市瑞之辰科技有限公司 是一家芯片设计、方案研发的高科技公司，成立于2007年，主要产品有SiC功率器件、传感器芯片、电源管理芯片等。公司拥有自己的知识产权，拥有数十项发明专利和实用新型专利。 近年来公司研发了SiC、IGBT等功率器件，封装形式有TO247-3、TO247-4PHC、IPM24A-D、WPM11C等外形，产品主要应用在储能、白电、充电桩、逆变器、光伏、汽车、高铁、电网等领域。 主要产品MEMS压力传感器全金属封装充油芯体AC-DC 副边反馈AC-DC原边反馈低压MOSFET锂电保护-充电同步整流USB端口协议中压MOSFET
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Xinergy 芯达茂微电子芯达茂以对标国际一流品牌、实现国产替代为己任，致力于第三代半导体及各类功率器件的研发、设计和应用。 公司拥有一流的第三代半导体与功率器件的国际化研发团队，核心技术骨干均为拥有25年以上丰富专业经验的国际级专家及海内外人才。公司经过多年的产业化研发、量产改进、市场验证，现已提出数十项专利。 2019年公司首款隔离式栅极驱动IC面世；2020年IGBT单管、模块顺利量产；2021年GaN MOSFET、SiC MOSFET器件正式上市；2022年荣获国家级高新技术企业认定；2023年车规级IGBT 大功率模块、车规级SiC芯片面世。 主要产品IGBT单管，SiC MOSFET，VD MOSFET，SJ MOSFET，SGT MOSFET，PIM，IPM应用方案直流变频落地扇及空清机马达解决方案直流变频空调马达解决方案
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LXPSEMI 澜芯半导体上海澜芯半导体有限公司 成立于2022年6月，公司总部坐落于上海嘉定，在张江设有研发中心，是一家全栈功率芯片设计公司，产品包含碳化硅MOSFET，硅基IGBT, MOSFET等相关芯片、单管和功率模块产品 上海澜芯半导体拥有成熟的研发团队，具有丰富的功率芯片开发经验和深厚的车规级功率半导体行业背景。 依托多年在功率半导体丰富的开发经验和深厚的车规级功率半导体行业应用背景，历经半年多的时间在2023年8月首款碳化硅芯片1200V 80mΩ SiC MOSFET就功通过了1000小时175℃ 100%Vds 主要产品SiCLXPSEMI SiC MOSFET在导通电阻，开关损耗，高温运行和导热性上的优异特性极大地提升了电力电子系统的转换效率和功率密度，并使得系统的整体成本降低。 IGBT澜芯IGBT芯片采用先进的微沟槽器件结构，产品具有更低的导通压降与更小的开关损耗。
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BLDC芯片企业峰岹科技正式登陆科创板2022-04-24
