eMRAM 技术简介半导体技术的发展历程可以追溯到上世纪40年代，自晶体管发明以来，集成电路的特征尺寸已经从微米级别进入纳米级别。 随着摩尔定律的演进，晶体管先后经历了平面结构、Fin场效应晶体管（FinFET）和环绕式栅极晶体管(Gate-All-Around）等阶段，其密度、性能和能效不断提高。 然而，随着工艺节点的不断演进，eFlash通过浮栅吸附/脱附电子实现数据存储的物理机制限制了其微缩极限。